맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

페이스트를 이용한 태양전지용 박막의 제조방법 및 이에의해 수득된 태양전지용 박막

  • 기술번호 : KST2014020391
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 태양전지로 통칭되는, IB족, IIIA족 및 VIA족의 원소들을 포함하는 물질을 빛 흡수층으로 이용하는 박막 태양전지용 CIGS 또는 CIS계 분말 또는 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 CIS 또는 CIGS계 박막을 기존의 제조 방법에 사용되던 진공 증착 방법이 아닌 페이스트 코팅법을 이용하여 제조함으로써, 태양전지 생산시의 원료의 손실을 줄이고 대량 생산 및 대면적화를 가능하게 한다. 본 발명에 따르면, 특히 유독 기체를 이용한 셀렌화(selenization) 공정 대신에 대기 방출 위험이 적은 Se 전구체를 이용하기 때문에 보다 안전한 저가의 박막 제조가 가능하다. 박막 태양전지, CIGS, CIS, Cu(In,Ga)Se2, 칼코파이라이트, 페이스트
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080017727 (2008.02.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0989077-0000 (2010.10.14)
공개번호/일자 10-2009-0092471 (2009.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20101025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.27)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울 노원구
2 민병권 대한민국 서울 성북구
3 정광덕 대한민국 서울 서초구
4 이준행 대한민국 서울 용산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김선장 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(대치동) 삼성대세빌딩 *층(주식회사젠센)
3 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 와이디산업 광주광역시 광산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0143493-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062513-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0007601-76
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0007621-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0020578-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0089579-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0089541-24
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0238237-57
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0379902-83
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0379928-69
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0451247-00
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) Cu 전구체와 In 전구체를 혼합하거나, 또는 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 수득하거나, 상기 전구체 혼합물을 열처리하여 전구체 산화물을 수득하는 단계, (2) 수득된 전구체 혼합물 또는 전구체 산화물과, Se 전구체를 혼합한 후 수성 또는 알콜성 용매 중에서 교반반응시켜 페이스트를 수득하는 단계, 및 (3) 수득된 페이스트를 기판 상에 코팅한 후 불활성 기체 또는 환원성 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Cu 전구체, In 전구체 또는 Ga 전구체가, 용매 중에서 각 금속 이온을 생성할 수 있는, 각 금속 이온들 또는 이들 조합의 수산화물, 질산염, 황산염, 아세트산염, 염화물, 아세틸아세토네이트, 포름산염 또는 산화물임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체가 1 : 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 Se 전구체가, 용매 중에서 Se 금속 이온을 생성할 수 있는, SeCl4, SeS2, Na2Se, Na2SeO3, Na2SeO3ㆍ5H2O 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 전구체 혼합물 또는 산화물과 Se 전구체 화합물이 1: 0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 열처리를 500 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행함을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)에서 각 금속의 전구체들을 물 또는 알코올류에 분산시켜 혼합하고, 이때 pH를 0 초과 내지 10 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서, 혼합된 전구체 화합물들을 용매중에서 교반반응시키기 전에 먼저 열처리를 수행하여 CIGS 분말을 얻어, 이 분말을 용매 중에 분산시켜 페이스트를 수득함을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 분산제 및 바인더 중의 1종 이상의 성분을 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 분산제가 α-터피에놀, 에틸렌글리콜, 티오아세트아미드 또는 이들의 조합임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 바인더가 에틸 셀룰로스, 팔미트산, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌카보네이트 또는 이들의 조합임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 황 함유 유기 화합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 황 함유 유기 화합물이 H2S, RSH(여기서, R은 알킬 또는 카복시알킬기임) 또는 티오아세트아미드(thioacetamide)임을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 Na, K, Ni, P, As, Sb, 또는 Bi 성분, 또는 이들의 조합을 도펀트(dopant)로서 첨가하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 페이스트를 닥터 블레이드 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 및 페인트 코팅 중에서 선택된 코팅법에 의해 코팅하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
16 16
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 열처리를 200 내지 700℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
17 17
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 환원성 분위기가 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 박막의 제조 방법
18 18
제 1항에 있어서, 상기 CIS계 또는 CIGS계 박막의 두께가 0
19 19
삭제
20 20
(1) Cu 전구체와 In 전구체를 혼합하거나, 또는 Cu 전구체, In 전구체 및 Ga 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 수득하거나, 상기 전구체 혼합물을 열처리하여 전구체 산화물을 수득하는 단계, 및 (2) 수득된 전구체 혼합물 또는 전구체 산화물과, Se 전구체를 혼합한 후 200 내지 700℃ 범위의 온도 및 불활성 기체 또는 환원성 분위기 하에서 열처리하는 단계를 포함하는, 구리인듐셀렌(CIS)계 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)계 분말의 제조 방법
21 21
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08617642 US 미국 FAMILY
2 US20090214763 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009214763 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8617642 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.