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[염료감응형 태양전지]콜로이달 템플레이트를 이용한 다공성 광전극 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014067167
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공성 구조의 금속산화물 박막을 갖는 고효율 염료감응 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 콜로이달 템플레이트(colloidal templates) 기술을 이용하여 2차원의 다공성 구조를 제조한다. 일 방법으로, PS나 PMMA 같은 마이크로 입자(microsphere)를 기판 위에 분산시키고, 상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 산화티타늄 박막을 증착한 후, 고온에서의 열처리를 통해 마이크로 입자를 분해시키고 산화티타늄을 결정화시켜 다공성 구조의 박막을 얻는다. 이러한 산화티타늄의 다공성 구조는 반응 면적을 증대시키고, 또한 점도가 높은 고분자 또는 고체 전해질의 이동 경로를 제공해 줌으로써, 염료감응 태양전지의 전류밀도를 증대시키고 장기안정성을 향상시킨다.마이크로 입자, 단층, 복층, 고주파 스퍼터링, 산화티타늄 전극, 고분자 또는 고체 전해질, 염료감응 태양전지
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020060113004 (2006.11.15)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0830946-0000 (2008.05.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.15)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울 영등포구
2 이현정 대한민국 서울 성북구
3 홍재민 대한민국 서울 성북구
4 김준경 대한민국 서울 동대문구
5 양대진 대한민국 경북 영주시 휴
6 양수철 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0836662-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056780-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0665908-96
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0092075-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0092079-54
7 등록결정서
Decision to grant
2008.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0246756-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
투명전도성 기판 위에 희생입자를 분산시켜 희생입자층을 단층 또는 복층으로 형성하는 단계;상기 희생입자층 위에 금속산화물 전극을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물 전극을 열처리하여 상기 희생입자층을 제거함으로써 다공성 금속산화물 전극을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 희생입자층은 상기 투명전도성 기판 위에 형성된 차단층 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 희생입자의 평균 크기는 100㎚ ∼ 10㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 희생입자는 고분자 유기입자 또는 무기입자인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 고분자 유기입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리염화비닐(PVC), 폴리스타이렌-코-아크릴로나이트릴(poly(strene-co-acrylonitrile)(SAN)), 폴리염화비닐리덴-코-염화비닐(poly(vinylidene chloride-co-vinyl chloride)), 라텍스(latex), 폴리부타디엔(poly(butadiene)), 폴리불화비닐리덴(poly(vinylidene fluoride)(PVDF)) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 무기입자는 실리카인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속산화물 전극은 RF 스퍼터링법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 열처리 후에 얻어지는 다공성 금속산화물 전극의 두께는 10㎚ ∼ 20㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 희생입자층의 형성, 상기 금속산화물 전극의 형성 및 상기 열처리 공정을 반복하여 다층 구조의 다공성 금속산화물 전극을 얻는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 열처리는 450 ∼ 550℃에서 10분 ∼ 2시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다공성 금속산화물 전극을 사염화티탄(TiCl4) 수용액에 24 ∼ 72시간 동안 함침시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
13 13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속산화물 전극은 산화티타늄 전극인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
14 14
제 2 항에 있어서,상기 차단층은 산화티타늄 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
15 15
제 2 항에 있어서,상기 차단층의 두께는 10 ∼ 500㎚의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
16 16
제 2 항에 있어서,상기 차단층 위에 상기 희생입자층을 형성하고, 상기 희생입자층 위에 상기 금속산화물 전극을 형성한 다음, 상기 금속산화물 전극을 열처리하여 상기 차단층과 상기 금속산화물 전극을 함께 결정화시키는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
17 17
투명전도성 기판 위에 제 1 금속산화물층을 형성하는 단계;상기 제 1 금속산화물층 위에 희생입자를 분산시켜 희생입자층을 형성하는 단계;상기 희생입자층 위에 제 2 금속산화물층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 금속산화물층을 열처리하여 상기 희생입자층을 제거함으로써 다공성 제 2 금속산화물층을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 다공성 제 2 금속산화물층은 스캐터링(scattering) 층으로서 다공성 산화티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
19 19
투명전도성 기판과;상기 투명전도성 기판 위에 형성된 다공성 금속산화물 전극과; 상기 금속산화물 전극과 대응하는 상대 전극과;상기 금속산화물 전극과 상기 상대 전극 사이에 충전된 전해질을 포함하며,상기 다공성 금속산화물 전극은 중공형의 반구체가 규칙적으로 배열된 미세 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
20 20
제 19 항에 있어서,상기 투명전도성 기판과 상기 다공성 금속산화물 전극 사이에 차단층이 개재된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
21 21
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 중공형의 반구체는 내부에 평균 직경이 100㎚ ∼ 10㎛인 반구형 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
22 22
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 중공형의 반구체을 이루는 막에 50∼400㎚ 크기의 버스트 홀(burst hole)이 형성된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
23 23
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 다공성 금속산화물 전극의 두께는 10㎚ ∼ 20㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
24 24
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 다공성 금속산화물 전극은 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
25 25
제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,상기 다공성 금속산화물 전극은 아나타제(anatase) 형의 결정성을 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.