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소스/드레인 전극이 형성된 산화물 반도체;
상기 산화물 반도체 상에 형성되는 무기물 중간체;
상기 무기물 중간체 상에 형성되는 유기 강유전체; 및
상기 유기 강유전체 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하되,
상기 산화물 반도체는 산화아연계 반도체에 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 질소, 인, 비소, 수소, 리튬, 나트륨, 또는 칼륨으로 이루어진 군에서 선택되는 원소가 적어도 하나 이상 포함되는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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제1항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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3
제2항에 있어서,
상기 기판은 유리 또는 플렉시블한 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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4
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극은 투명 산화물 전극인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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삭제
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6
제1항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 두께가 20~60nm인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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7
삭제
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8
제1항에 있어서,
상기 무기물 중간체는 Al₂O₃, SiO₂, SiN, HfO₂, 또는 Y₂O₃ 중에서 선택되는 하나 이상의 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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9
제1항 또는 제8항에 있어서,
상기 무기물 중간체는 3~10nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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10
제 1항에 있어서,
상기 유기 강유전체는 PVDF-TrFE, TTF-CA, M2P-DMTCNQ 또는 MXD6 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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11
제 1항 또는 제10항에 있어서,
상기 유기 강유전체는 50~200nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
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