맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014020464
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1T형 강유전체 메모리로서, 소스/드레인 전극이 형성된 산화물 반도체와, 상기 산화물 반도체 상에 형성되는 무기물 중간체와, 상기 무기물 중간체 상에 형성되는 유기 강유전체, 및 게이트 전극을 포함하여 메모리 성능이 뛰어나고 저전압에서 구동 가능한 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 제조방법을 제공한다. 유-무기 하이브리드, 비파괴읽기, 박막트랜지스터, 강유전체, FeRAM
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020090042139 (2009.05.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1077617-0000 (2011.10.21)
공개번호/일자 10-2010-0123106 (2010.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20111027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.14)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임성일 대한민국 서울특별시 마포구
2 박찬호 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0289854-21
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0039935-85
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0206915-09
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0206916-44
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0543801-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스/드레인 전극이 형성된 산화물 반도체; 상기 산화물 반도체 상에 형성되는 무기물 중간체; 상기 무기물 중간체 상에 형성되는 유기 강유전체; 및 상기 유기 강유전체 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하되, 상기 산화물 반도체는 산화아연계 반도체에 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 질소, 인, 비소, 수소, 리튬, 나트륨, 또는 칼륨으로 이루어진 군에서 선택되는 원소가 적어도 하나 이상 포함되는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 기판 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플렉시블한 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극은 투명 산화물 전극인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 두께가 20~60nm인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 무기물 중간체는 Al₂O₃, SiO₂, SiN, HfO₂, 또는 Y₂O₃ 중에서 선택되는 하나 이상의 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
9 9
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 무기물 중간체는 3~10nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
10 10
제 1항에 있어서, 상기 유기 강유전체는 PVDF-TrFE, TTF-CA, M2P-DMTCNQ 또는 MXD6 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
11 11
제 1항 또는 제10항에 있어서, 상기 유기 강유전체는 50~200nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막 트랜지스터 강유전체 메모리
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 민간기업 연세대학교 산학협력단 BK21(산업체대응) (주)하이닉스반도체 ZNO BASED TFT MVM 소자