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플래시 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015125412
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 제1 절연막 및 고유전막으로 이루어진 이중 구조의 터널 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널 절연막 상에 제2 절연막, 블로킹막 및 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 도전막, 블로킹막, 제2 절연막 및 터널 절연막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고유전막은 하프늄-실리콘-옥시나이트라이드(Hafnium-Silicon-Oxynitried)로 형성하는 것을 특징으로 한다. 터널 절연막, HfSiON, 이중 구조, SiO2, 고유전막, 누설 전류, 리텐션
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020080131296 (2008.12.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1151153-0000 (2012.05.22)
공개번호/일자 10-2010-0072786 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울특별시 강남구
2 고대홍 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 김용탑 대한민국 경기도 화성시 영통로**번길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정영수 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털 *로 **, ****호 (가산동, 에이스한솔타워)(한영국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0879427-32
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0006415-98
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0000833-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0577067-09
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0109411-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0190806-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0190827-69
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0558503-59
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0902454-99
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0902436-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0247367-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 제1 절연막 및 고유전막으로 이루어진 이중 구조의 터널 절연막을 형성하고, 상기 고유전막을 형성한 후 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP) 공정을 실시하여 상기 고유전막을 조밀화시키는 단계;상기 터널 절연막 상에 제2 절연막, 블로킹막 및 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 도전막, 블로킹막, 제2 절연막 및 터널 절연막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고유전막은 하프늄-실리콘-옥시나이트라이드(Hafnium-Silicon-Oxynitride)로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 절연막은 SiO2를 이용하여 10Å 내지 40Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 절연막을 형성한 후 열공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 열공정은 N2O 가스 또는 NO 가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 고유전막은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 방법 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 고유전막은 750～1000℃의 고온에서 NH3 가스를 혼입한 가운데 후속 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 고유전막은 5Å 내지 40Å의 유효 산화 두께(Equivalent Oxide Thickness; EOT)로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 제2 절연막은 원자층 증착(ALD) 방법 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 20Å 내지 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서, 상기 제2 절연막은 HfO2, ZrO2, Nb2O5, La2O3, Pr2O3 또는 Nd2O3로 이루어진 고유전 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 블로킹막은 Al2O3 또는 산화막을 이용하여 50Å 내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 블로킹막을 형성한 후급속 열처리(RTP) 공정을 실시하여 상기 블로킹막을 조밀화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 도전막은 소노스(SONOS) 공정을 위해서는 폴리실리콘막으로, 마노스(MANOS) 공정을 위해서는 탄탈륨질화막(TaN)과 같은 금속 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 1E19/㎤ 내지 5E20/㎤의 농도로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 금속 물질은 일함수(work function)가 4
17 17
반도체 기판 상에 절연막 및 고유전막으로 이루어진 이중 구조의 터널 절연막을 형성하고, 상기 고유전막을 형성한 후 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP) 공정을 실시하여 상기 고유전막을 조밀화시키는 단계;상기 터널 절연막 상에 제1 도전막, 유전체막 및 제2 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전막, 유전체막, 제1 도전막 및 터널 절연막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고유전막은 하프늄-실리콘-옥시나이트라이드(Hafnium-Silicon-Oxynitride)로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 절연막은 SiO2를 이용하여 10Å 내지 40Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 절연막을 형성한 후N2O 가스 또는 NO 가스 분위기에서 열공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 고유전막은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 방법 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법을 이용하여 형성되며, 750～1000℃의 고온에서 NH3 가스를 혼입한 가운데 후속 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
21 21
삭제
22 22
반도체 기판 상에 절연막 및 고유전막으로 이루어진 이중 구조의 터널 절연막을 형성하고, 상기 고유전막을 형성한 후 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP) 공정을 실시하여 상기 고유전막을 조밀화시키는 단계;;상기 터널 절연막 상에 제1 도전막, 유전체막 및 제2 도전막을 형성하는 단계; 상기 유전체막을 형성한 후, 열처리 공정을 실시하여 상기 유전체막을 조밀화시키는 단계; 및상기 제2 도전막, 유전체막, 제1 도전막 및 터널 절연막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고유전막은 하프늄-실리콘-옥시나이트라이드(Hafnium-Silicon-Oxynitride)로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 유전체막은 제1 산화막, 질화막 및 제2 산화막이 순차적으로 적층된 ONO 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 제1 산화막은 30Å 내지 60Å의 두께로, 상기 질화막은 40Å 내지 70Å의 두께로, 상기 제2 산화막은 30Å 내지 80Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
25 25
삭제
26 26
제22항에 있어서,상기 고유전 물질은 HfO2, HfSiOx, ZrO2, ZrAlOx, ZrSiOx, HfAlOx, La2O3, Pr2O3, Nd2O3, Al2O3, 또는 Nb2O5으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.