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무전해 니켈-팔라듐 합금도금을 포함하는 반도체 집적회로칩의 구리패드 구조

  • 기술번호 : KST2014020754
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 집적회로 칩의 구리 패드 구조 및 이를 형성하는 방법에 관한 것이다. 상기 구리 패드 구조는 구리패드, 니켈-팔라듐 합금층, 및 금 도금층을 포함하며, 이러한 구조 및 이의 제조방법은 종래의 방법에 비하여 공정의 단순화로 높은 생산성 및 저렴한 설비비 등의 장점을 가지며, 종래 UBM 층이 가지는 단점을 해결할 수 있다. UBM(Under Bump Metallurgy), 니켈-팔라듐 합금층, 무전해 도금, 금도금층
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/488 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070109660 (2007.10.30)
출원인 한국생산기술연구원, 와이엠티 주식회사
등록번호/일자 10-0922233-0000 (2009.10.09)
공개번호/일자 10-2009-0043869 (2009.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20091020) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 와이엠티 주식회사 대한민국 인천광역시 남동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍기 대한민국 경기도 고양시 일산구
2 구석본 대한민국 경기도 부천시 원미구
3 전성욱 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 와이엠티 주식회사 대한민국 인천광역시 남동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0779855-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0836085-34
3 보정요구서
Request for Amendment		 2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0164344-29
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0877936-89
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0906292-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002426-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0078459-53
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0238224-04
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0296494-52
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0296495-08
15 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0391122-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 상부면에 형성되는 구리패드; 상기 구리패드를 제외하고 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성되는 패시베이션층; 상기 구리 패드 위에 형성되는 니켈-팔라듐 합금층; 상기 니켈-팔라듐 합금층의 원활한 형성을 위해 하부층으로서 Ni-P; 및 상기 니켈-팔라듐 합금층 위에 형성되는 금 도금층을 포함하되, 상기 패시베이션층은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 및 실리콘 산화질막 중 어느 하나 이상으로 이루어지고, 상기 니켈-팔라듐 합금층은 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 금 도금층은 0
5 5
(1) 실리콘 기판의 상부면에 구리패드를 형성하는 단계; (2) 상기 구리패드상에 귀금속 촉매 입자를 흡착하여 활성화하는 활성화(activation) 단계; (3) 상기 구리패드를 제외하고 실리콘 기판의 상부면 전체에 부분적으로 패시베이션층을 형성하는 형성하는 단계; (4) 활성화된 상기 구리패드상에 무전해 도금방법에 의해 니켈-팔라듐 합금층을 형성하는 단계; 및 (5) 니켈-팔라듐 합금층의 상부에 솔더 젖음층 형성을 위한 금 도금층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 (4)단계의 니켈-팔라듐 합금층은 0
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 (2)단계의 귀금속 촉매 입자는 팔라듐 금속염인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 (2)단계의 활성화단계는 20 내지 30℃에서 10초 내지 1분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 (4)단계의 무전해도금방법은 황산니켈이 10 내지 12g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2-)이 8 내지 16g/ℓ, 염화팔라듐이 2 내지 3g/ℓ 및 염화암모늄 25 내지 29g/ℓ가 포함된 무전해도금액을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제5항에 있어서, 상기 (5)단계의 금 도금층은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.