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나노 입자를 포함한 2원계 합금도금을 이용한 3원계 무연 솔더 미세범프와 그 형성방법

  • 기술번호 : KST2014009937
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 납이 함유되지 않은 무연 미세 범프를 도금법으로 제조하는 방법과 범프의 특성에 관한 것으로, Sn-Ag-Cu 및 Sn-Ag-Bi 등의 3원계 무연 미세 범프를 제조하는 공정에서 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Bi 등의 2원계 도금액 중에 나노입자(nano particle - SiO2 또는 SiC)를 첨가하여 구리층과 범프와의 계면에 나노입자(nano particle)를 미세 분산시킴으로서 계면에 형성되는 금속간 화합물의 발생과 성장을 억제하여 범프의 신뢰성을 향상하고, 2원계 도금공정에 정확한 제어를 통해 3원계 미세 범프의 정밀한 조성제어가 가능하도록 한 것을 그 목적으로 한다. 본 발명은 기판의 구리층 위에 형성된 나노입자(nano particle)를 포함한 Sn 기반으로 이루어진 3원계 합금 범프를 포함하되, 상기 3원계 합금 범프는 기판상의 구리층에 적층형성된 Sn-Cu 합금 도금층과 Sn-Ag 및 Sn-Bi합금 도금층의 리플로우에 의해 형성되도록 되어 있다.범프, 3원계 합금 범프, 반도체, 플립칩
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 21/60 (2011.01) B23K 35/26 (2011.01) B23K 35/22 (2011.01)
CPC B23K 1/0016(2013.01) B23K 1/0016(2013.01) B23K 1/0016(2013.01) B23K 1/0016(2013.01) B23K 1/0016(2013.01) B23K 1/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020070097259 (2007.09.27)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0894869-0000 (2009.04.17)
공개번호/일자 10-2009-0032234 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20090424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창우 대한민국 경기 안양시 동안구
2 김정한 대한민국 서울 서초구
3 김준기 대한민국 인천 연수구
4 이종현 대한민국 경기 군포시 산
5 이세형 대한민국 인천 연수구
6 신의선 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 장순부 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0693499-67
2 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)		 2008.07.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2008-0022002-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0448087-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0746644-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0746645-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0055839-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 구리층상에 적층된 2원계 합금 도금층의 리플로우에 의해 형성된 3원계 무연 솔더 범프를 포함하되,상기 3원계 무연 솔더 범프는 기판상의 구리층에 형성된 나노입자(nano particle)을 포함한 Sn-Cu 또는 Sn-Bi 합금 도금층과, 상기 Sn-Cu 또는 Sn-Bi 합금 도금층 상부에 적층된 나노입자를 포함한 Sn-Ag 합금 도금층의 리플로우에 의해 형성되고,상기 나노입자(nano particle)는 SiC 또는 SiO2 가 첨가되며, 상기 나노입자(nano particle) SiC 는 도금액에 대하여, 0
2 2
청구항 1 에 있어서;상기 나노입자(nano particle)를 포함한 Sn-Cu 합금 도금층은 구리(Cu) 0
3 3
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서;상기 적층 형성된 Sn-Cu 합금 도금층과 Sn-Ag 합금 도금층의 리플로우에 의해 형성된 나노입자(nano particle)를 포함한 Sn-Ag-Cu 3원계 합금 범프는 은(Ag) 0
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
기판에 구리층을 형성하는 단계;상기 구리층상에 포토레지스트막을 형성한 후 구리층의 일부가 노출되도록 식각하는 단계;상기 노출된 구리층상에 나노입자가 포함된 Sn-Cu 합금 도금층 또는 나노입자가 포함된 Sn-Bi 합금 도금층을 형성하는 단계;상기 형성된 Sn-Cu 합금 도금층 또는 Sn-Bi 합금 도금층 상부에 Sn-Ag 합금 도금층을 적층하여 형성하는 단계;상기 포토레지스트막을 제거하는 단계;상기 적층된 합금 도금층을 리플로우하여 합금조성이 제어된 나노입자(nano particle)를 포함한 Sn-Ag-Cu 또는 Sn-Ag-Bi 계 합금 범프를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자(nano particle)를 포함한 2원계 합금도금을 이용한 3원계 무연 솔더 미세범프 형성방법
7 7
청구항 6 에 있어서;상기 Sn-Cu 합금 도금층 또는 Sn-Bi 합금도금층과 Sn-Ag 합금 도금층은 적층된 도금층 총두께(Sn-Ag 합금 도금층 두께 + Sn-Cu 합금 도금층 또는 Sn-Bi 합금 도금층 두께)에 대하여, Sn-Ag 합금 도금층은 50∼95%, Sn-Cu 합금 도금층 또는 Sn-Bi 합금 도금층은 5∼50%의 두께를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노입자(nano particle)를 포함한 2원계 합금도금을 이용한 3원계 무연 솔더 미세범프 형성방법
8 8
청구항 6 에 있어서;상기 적층형성된 Sn-Ag 합금 도금층과 Sn-Cu 합금 도금층의 리플로우에 의해 형성된 나노입자(nano particle)를 포함한 Sn-Ag-Cu 3원계 합금 범프는 은(Ag) 0
9 9
청구항 6 에 있어서;상기 적층형성된 Sn-Ag 합금 도금층과 Sn-Bi 합금 도금층의 리플로우에 의해 형성된 나노입자(nano particle)을 포함한 Sn-Ag-Bi 3원계 합금 범프는 은(Ag) 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.