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저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014022026
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.
Int. CL C08K 5/01 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) C08K 5/54 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08J 5/2256(2013.01) C08J 5/2256(2013.01) C08J 5/2256(2013.01) C08J 5/2256(2013.01) C08J 5/2256(2013.01)
출원번호/일자 1020100005202 (2010.01.20)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0987183-0000 (2010.10.05)
공개번호/일자 10-2010-0020501 (2010.02.22) 문서열기
공고번호/일자 (20101011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2007-0126331 (2007.12.06)
관련 출원번호 1020070126331
심사청구여부/일자 Y (2010.01.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정동근 대한민국 서울시 강남구
2 이성우 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 우지형 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0038657-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0157778-13
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0381241-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381218-64
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0440345-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 로 표시되는 선형의 전구체 물질 및 하기 화학식 2로 표시되는 선형의 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막:[화학식 1]상기 식에서, R1 내지 R6는 각각 독립적으로 수소 원자; 및 C1-C5의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고, X는 산소 원자 또는 C1-C5의 알킬렌기이다
2 2
제1항에 있어서,상기 저유전 플라즈마 중합체 박막은 플라즈마 보강 CVD 법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1 로 표시되는 선형의 전구체 물질은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)인 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막
4 4
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 선형의 전구체 물질은 3,3-디메틸-1-부텐(3,3-dimethyl-1-butene)인 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막
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17 17
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101450995 CN 중국 FAMILY
2 EP02070601 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02070601 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02070601 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 KR100962044 KR 대한민국 FAMILY
6 US07897521 US 미국 FAMILY
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1 CN101450995 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101450995 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2009054612 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7897521 US 미국 DOCDBFAMILY
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