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기재를 소스가스 및 반응가스를 이용하여 각각 교대로 플라즈마 처리하는 것; 및,상기 소스가스 및 상기 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 화학기상증착법에 의해 상기 기재 상에 무기 박막을 형성하는 것을 포함하고,상기 소스가스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 수행되는 것이며, 상기 소스가스는 Si, Al, Zr, Ti, Zn, In, Ga, Hf, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 2 성분 이상의 기체 전구체를 포함하는 것이고,상기 소스가스는 2 성분 이상의 소스가스를 혼합하여 하나의 플라즈마 모듈에서 플라즈마 처리가 수행되는 것이고,상기 반응가스는 N, H, 또는 O2를 포함하는 것이고,상기 박막을 형성하기 전, 상기 2 성분 이상의 소스가스의 조성비를 제어하여 혼합시킴으로써 증착 과정에서 별도의 소스가스의 종류 및 조성비를 조절할 필요가 없어 박막의 증착 속도가 개선되는 것이고, 상기 소스가스는 혼합된 2 성분 이상의 소스가스의 성분비에 의해 상기 무기 박막의 조성이 결정되며,상기 반응가스의 성분에 따라 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 플라즈마 처리가 수행되는 것이고,상기 혼합 소스가스를 다층 적층한 박막은 상기 혼합된 소스가스들이 믹싱(mixing)된 상태이고, 유연성이 우수한 것인,혼합 소스가스를 이용한 박막 증착 방법
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