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플라스마 처리를 이용한 전도성 고분자용 고체 도판트, 그의 제조 방법 및 장치, 및 전도성 고분자의 고상 도핑 방법
- 기술번호 : KST2014022857
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은, 플라즈마 처리를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 용매 내 높은 분산성을 갖는 고체 도판트를 이용한 전도성 고분자 도핑 방법, 상기 고체 도판트의 제조 방법 및 제조 장치, 및, 플라즈마 처리에 의한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 강한 산화제와 같은 화학약품을 사용하지 않고 다양한 플라즈마를 이용하여 전도성 고분자를 고상 도핑하거나 다양한 플라즈마를 이용하여 용매에서 높은 분산성을 가지도록 전도성 고분자 도핑용 나노입자 고체 도판트를 용이하게 제조할 수 있고, 이를 이용하여 나노입자 함유 전도성 고분자 조성물을 용이하게 제조할 수 있어, 전도성 고분자의 응용분야를 더욱 발전 확대시킬 수 있다. 전도성 고분자, 플라즈마, 나노입자, 고상 도핑, 고체 도판트 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 30/00 (2011.01) C08J 3/28 (2011.01) C08J 7/18 (2011.01) C08K 3/12 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020090035928 (2009.04.24) |
| 출원인 | 주식회사 엘파니, 아주대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0946598-0000 (2010.03.03) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20100309) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.04.24) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 엘파니 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 2 | 아주대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 홍용철 | 대한민국 | 경기도 고양시 덕양구 |
| 2 | 이석현 | 대한민국 | 경기도 과천시 |
| 3 | 권오필 | 대한민국 | 경기도 수원시 팔달구 |
| 4 | 김태자 | 대한민국 | 경기도 시흥시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서형미 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 ***(양재동, 윤화빌딩 *층)(특허법인차) |
| 2 | 신동헌 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)(특허법인엠에이피에스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 엘파니 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 2 | 아주대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2009.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0250329-71 |
| 2 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0249875-53 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2009.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0305975-13 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.06.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.06.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0038272-03 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.07.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0291076-66 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2009.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0557916-28 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0616975-29 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.10.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0616976-75 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0512845-33 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.02.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0094771-36 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0094768-09 |
| 13 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0087538-97 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5179965-23 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5000672-13 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5001474-07 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하기를 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법: 고체 도판트로서, 티타니아, 텅스텐 산화물, 구리 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 니켈 산화물, 카드뮴 산화물, 셀레늄 산화물, 바륨 티타네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는, 황산아연, 요오드화 아연, 요오드화 바륨, 요오드화 나트륨, 요오드화 세슘, 요오드화 납, 산화 아연, 세슘 브로마이드, 바륨 브로마이드, ZnS, ZnCdS, Gd2O2S, Y2O2S, CaWO3, ZnSiO4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 도판트 나노분말을 합성하는 단계; 상기 도판트 나노분말을 플라즈마로 처리하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 도판트 나노분말을 용매에 분산되어 있는 전도성 고분자와 혼합하여 상기 전도성 고분자를 도핑하는 단계 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계는, 상기 도판트 나노분말이 플라즈마에 노출되도록 플라즈마 처리 장치 내 용기에 올려놓는 로딩 단계; 원하는 플라즈마 가스를 선택하여 상기 플라즈마 챔버 내로 주입하는 플라즈마 가스주입 단계; 플라즈마를 발생하기 위하여 상기 플라즈마 챔버에 전압을 인가하는 플라즈마 ON 단계; 상기 발생되는 플라즈마에 대한 상기 도판트 나노분말의 노출 시간을 제어하는 플라즈마 처리 시간 제어 단계; 상기 플라즈마 발생을 차단하는 플라즈마 OFF 단계; 및 상기 플라즈마 처리된 상기 도판트 나노분말을 수집하는 단계를 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계에서 플라즈마 처리된 상기 도판트 나노분말의 산도(pH)가 4 이하인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계 전에, 상기 도판트 나노분말을 전처리하는 단계를 추가로 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자와 상기 플라즈마 처리된 도판트 나노 분말의 당량비는 전도성 고분자 1 당량에 대해 플라즈마 처리된 도판트 나노 분말 0 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계는 -10oC 내지 800oC의 온도에서 수행되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계에서 사용되는 상기 플라즈마는 10-6 Torr 내지 5 atm의 압력에서 발생되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 9 |
9 제 3 항에 있어서, 상기 플라즈마 가스는, 아르곤 또는 헬륨인 비활성 가스; 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), CF4; NF3, 또는 SF6인 불화가스; 메탄(CH4),에틸렌(C2H4) 또는 아세틸렌(C2H2)인 탄화수소가스; 일산화황(SO), 이산화황(SO2), 이산화질소(NO2), 일산화질소(NO), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO), 암모니아(NH3) 가스; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 10 |
10 제 3 항에 있어서, 상기 플라즈마 가스는, 액체 상태로부터 기화시켜 사용할 수 있는 과산화수소(H2O2), 메탄올(CH3OH), 에탄올(C2H5OH), 아세톤(CH3COCH3), 아닐린, C6 ~ C20인 탄화수소 액체, HCl, HClO4, HBF4, HPF6, 인산(phosphoric acids), 디클로로아세트산(dichloroacetic acid), 유기 설포닉산 (organic sulfonic acid), 피르브산(pyrubic acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 도판트 나노분말이 티타니아, 텅스텐 산화물, 구리 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 니켈 산화물, 카드뮴 산화물, 셀레늄 산화물, 바륨 티타네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 도판트 나노분말이 황산아연, 요오드화 아연, 요오드화 바륨, 요오드화 나트륨, 요오드화 세슘, 요오드화 납, 산화 아연, 세슘 브로마이드, 바륨 브로마이드, ZnS, ZnCdS, Gd2O2S, Y2O2S, CaWO3, ZnSiO4, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마는 라디오 주파수(Radio Frequency) 플라즈마, 고주파 플라즈마, 유전체장벽방전(Dielectric Barrier Discharge) 플라즈마, AC 또는 DC 글로우 방전 플라즈마, 중간 주파수(Middle Frequency) 플라즈마, 아크 플라즈마, 코로나 방전 플라즈마 또는 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마에 의해 처리된 도판트 나노분말이 친수성 및 상기 용매에서 분산성을 나타내는 것인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법, |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐썰파이드 또는 폴리파라페닐렌인, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 |
| 16 |
16 티타니아, 텅스텐 산화물, 구리 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 니켈 산화물, 카드뮴 산화물, 셀레늄 산화물, 바륨 티타네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는, 황산아연, 요오드화 아연, 요오드화 바륨, 요오드화 나트륨, 요오드화 세슘, 요오드화 납, 산화 아연, 세슘 브로마이드, 바륨 브로마이드, ZnS, ZnCdS, Gd2O2S, Y2O2S, CaWO3, ZnSiO4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 도판트 나노 분말을 포함하며, 플라즈마 처리에 의하여 산도(pH)가 4 이하로 조절되고 친수성 및 용매 내 분산성을 나타내는, 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 도판트 나노분말이 티타니아, 텅스텐 산화물, 구리 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 니켈 산화물, 카드뮴 산화물, 셀레늄 산화물, 바륨 티타네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 도판트 나노분말이 황산아연, 요오드화 아연, 요오드화 바륨, 요오드화 나트륨, 요오드화 세슘, 요오드화 납, 산화 아연, 세슘 브로마이드, 바륨 브로마이드, ZnS, ZnCdS, Gd2O2S, Y2O2S, CaWO3, ZnSiO4, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 |
| 19 |
19 하기를 포함하는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 제조 장치: 기체 유입구와 기체 배출구가 형성되어 있는 플라즈마 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고 처리될 고체 도판트로서, 티타니아, 텅스텐 산화물, 구리 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물, 니켈 산화물, 카드뮴 산화물, 셀레늄 산화물, 바륨 티타네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이거나, 또는 상기 도판트 나노분말이 황산아연, 요오드화 아연, 요오드화 바륨, 요오드화 나트륨, 요오드화 세슘, 요오드화 납, 산화 아연, 세슘 브로마이드, 바륨 브로마이드, ZnS, ZnCdS, Gd2O2S, Y2O2S, CaWO3, ZnSiO4, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 고체 도판트의 나노분말이 올려지는 용기; 상기 챔버 내부에 설치되며 상기 용기로 플라즈마를 조사하는 플라즈마 발생장치; 및 상기 용기에 올려지는 고체 도판트의 나노분말이 상기 플라즈마에 의해 균일하게 처리되도록 교반될 수 있는 진동 인가장치 또는 초음파 인가장치 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버 일측에는 진공 펌프를 포함한 진공 장치가 구비되어 있는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 제조 장치 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 제 19 항에 있어서, 상기 용기에는 상기 플라즈마와 상기 고체 도판트의 나노분말과의 이격거리를 조절할 수 있는 스테이지가 구비되어 있는, 플라즈마를 이용한 전도성 고분자 도핑용 고체 도판트 제조 장치 |
| 23 |
23 삭제 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20100270517 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010270517 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0946598-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090424 출원 번호 : 1020090035928 공고 연월일 : 20100309 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100226 청구범위의 항수 : 20 유별 : C08J 3/28 발명의 명칭 : 플라스마 처리를 이용한 전도성 고분자용 고체 도판트, 그의 제조 방법 및 장치, 및 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 아주대학교산학협력단 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 주식회사 엘파니 경기도 화성시 ... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2010년 03월 04일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2013년 02월 25일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2014년 02월 10일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2015년 01월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2016년 01월 26일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 602,000 원 | 2017년 02월 01일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 602,000 원 | 2018년 01월 15일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2019년 01월 07일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2009.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0250329-71 |
| 2 | [특허출원]특허출원서 | 2009.04.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0249875-53 |
| 3 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2009.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0305975-13 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.06.01 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2009.06.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0038272-03 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2009.07.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0291076-66 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2009.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0557916-28 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0616975-29 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.10.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0616976-75 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2009.12.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0512845-33 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.02.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0094771-36 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0094768-09 |
| 13 | 등록결정서 | 2010.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0087538-97 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5179965-23 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5000672-13 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5001474-07 |
| 기술번호 | KST2014022857 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | |
| 기술명 | 플라스마 처리를 이용한 전도성 고분자용 고체 도판트, 그의 제조 방법 및 장치, 및 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은, 플라즈마 처리를 이용한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법에 관한 것으로서, 구체적으로, 용매 내 높은 분산성을 갖는 고체 도판트를 이용한 전도성 고분자 도핑 방법, 상기 고체 도판트의 제조 방법 및 제조 장치, 및, 플라즈마 처리에 의한 전도성 고분자의 고상 도핑 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 강한 산화제와 같은 화학약품을 사용하지 않고 다양한 플라즈마를 이용하여 전도성 고분자를 고상 도핑하거나 다양한 플라즈마를 이용하여 용매에서 높은 분산성을 가지도록 전도성 고분자 도핑용 나노입자 고체 도판트를 용이하게 제조할 수 있고, 이를 이용하여 나노입자 함유 전도성 고분자 조성물을 용이하게 제조할 수 있어, 전도성 고분자의 응용분야를 더욱 발전 확대시킬 수 있다. 전도성 고분자, 플라즈마, 나노입자, 고상 도핑, 고체 도판트 |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 고분자 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415109347 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K0004127 |
| 연구과제명 | 화학소재의 내열/수축 특성 및 유전특성 제어기술 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국생산기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200807~201206 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415100340 |
|---|---|
| 세부과제번호 | K0004127 |
| 연구과제명 | 화학소재의내열/수축특성및유전특성제어기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국생산기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200807~201206 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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