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표면부의 형상이 변조된 기판을 이용한 질화갈륨계 발광다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2014024027
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면부의 형상이 변조된 기판을 이용한 질화갈륨계 발광다이오드 소자를 개시한다. 질화갈륨계 발광다이오드 소자는 질화갈륨 기판을 이용하여 질화갈륨계 발광다이오드 유닛을 형성하되, 상기 질화갈륨계 발광다이오드 유닛의 표면부가 형상 변조된 구조로 형성된다. 발광다이오드 소자(LED), 질화갈륨계(GaN), 질화갈륨 기판
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020090063405 (2009.07.13)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0005992 (2011.01.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천광역시 남구
2 이동진 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0423405-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0071511-81
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0214911-59
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0214912-05
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0528597-82
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919233-03
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0919234-48
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0246167-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨 기판을 이용하여 질화갈륨계 발광다이오드 유닛을 형성하되, 상기 질화갈륨계 발광다이오드 유닛의 표면부가 형상 변조된 구조로 형성되는, 질화갈륨계 발광다이오드 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 기판은 상부의 형상이 변조된 구조를 가지며, 상기 질화갈륨계 발광다이오드 유닛은 상기 상부의 형상이 변조된 질화갈륨 기판 상에 형성된 후 상기 질화갈륨 기판과의 분리를 통해 상기 표면부의 형상이 변조된 구조로 형성되는, 질화갈륨계 발광다이오드 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 질화갈륨계 발광다이오드 유닛은, 상기 표면부의 형상이 m×n개의 셀로 이루어진 수~수십 마이크로 스케일의 원통형, 타원형, 사다리꼴 모양 중 적어도 하나의 형상으로 변조된 구조를 가지는, 질화갈륨계 발광다이오드 소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 질화갈륨계 발광다이오드 유닛은, 상기 표면부의 형상이 2um 내지 20 um의 높이로 변조된 구조를 가지는, 질화갈륨계 발광다이오드 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.