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1
게이트 전극을 포함하는 게이트선,
상기 게이트선 위에 형성되어 있는 층간 절연막,
상기 층간 절연막 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 포함하는 데이터선,
상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 형성되어 있는 유기 반도체, 그리고
상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극
을 포함하고,
상기 데이터선 및 상기 드레인 전극은
금속을 포함하는 제1 데이터선 및 제1 드레인 전극, 그리고
상기 제1 데이터선 및 상기 제1 드레인 전극 위에 형성되며, 금속 산화물을 포함하는 제2 데이터선 및 제2 드레인 전극
을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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2
제1항에서,
상기 유기 반도체는 상기 제2 데이터선 및 제2 드레인 전극과 접촉하는 박막 트랜지스터 표시판
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3
제2항에서,
상기 제2 데이터선 및 제2 드레인 전극은 상기 제1 데이터선 및 상기 제1 드레인 전극을 각각 완전히 덮고 있는 박막 트랜지스터 표시판
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4
제3항에서,
상기 제1 데이터선 및 상기 제1 드레인 전극은 각각 상기 제2 데이터선 및 상기 제2 드레인 전극과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지고 있는 박막 트랜지스터 표시판
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5
제2항에서,
상기 유기 반도체는 상기 층간 절연막과 접촉하고 있는 박막 트랜지스터 표시판
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6
제1항에서,
상기 금속과 상기 금속 산화물은 동일한 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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7
제6항에서,
상기 금속은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 루비듐(Ru), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 인듐(In) 또는 알루미늄(Al)인 박막 트랜지스터 표시판
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8
제6항에서,
상기 금속 산화물의 일함수 값은 4
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9
제1항에서,
상기 유기 반도체는 상기 제2 데이터선 및 상기 제2 드레인 전극 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판
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10
제1항에서,
상기 유기 반도체, 상기 제2 데이터선 및 상기 제2 드레인 전극 위에 형성되어 있는 보호막을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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11
제1항에서,
상기 유기 반도체의 두께는 상기 소스 전극이나 상기 드레인 전극의 두께보다 얇은 박막 트랜지스터 표시판
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12
게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,
상기 게이트선 위에 층간 절연막을 형성하는 단계,
상기 층간 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극의 형성을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계,
상기 감광막 패턴과 상기 층간 절연막 위에 데이터 금속층을 적층하는 단계,
상기 데이터 금속층 위에 데이터 금속 산화물층을 적층하는 단계,
상기 감광막 패턴을 제거하여 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극을 형성하는 단계, 그리고
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 유기 반도체를 형성하는 단계
를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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13
제12항에서,
상기 감광막은 음성 감광 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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14
제12항에서,
상기 유기 반도체를 형성하는 단계는 상기 금속 산화물층과 상기 유기 반도체가 접촉하도록 상기 금속 산화물층 위에 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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15
제14항에서,
상기 데이터 금속층과 상기 데이터 금속 산화물층은 동일한 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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16
제15항에서,
상기 금속은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 루비듐(Ru), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 인듐(In) 또는 알루미늄(Al)인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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17
제12항에서,
상기 유기 반도체 위에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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18
제17항에서,
상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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19
게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,
상기 게이트선 위에 층간 절연막을 형성하는 단계,
상기 층간 절연막 위에 보조 금속층을 형성하는 단계,
상기 보조 금속층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극의 형성을 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계,
상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 보조 금속층을 식각하는 단계,
상기 감광막 패턴과 상기 층간 절연막 위에 데이터 금속층을 적층하는 단계,
상기 데이터 금속층 위에 데이터 금속 산화물층을 적층하는 단계,
상기 감광막 패턴과 상기 보조 금속층을 제거하여 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극을 형성하는 단계, 그리고
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 유기 반도체를 형성하는 단계
를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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20
제19항에서,
상기 유기 반도체를 형성하는 단계는 상기 금속 산화물층과 상기 유기 반도체가 접촉하도록 상기 금속 산화물층 위에 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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21
제19항에서,
상기 데이터 금속층과 상기 데이터 금속 산화물층은 동일한 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제21항에서,
상기 금속은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 루비듐(Ru), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 인듐(In) 또는 알루미늄(Al)인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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23
게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,
상기 게이트선 위에 층간 절연막을 형성하는 단계,
상기 층간 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극의 형성을 위한 마스크를 상기 층간 절연막 위에 배치하는 단계,
상기 마스크의 개구부를 통하여 데이터 금속층과 데이터 금속 산화물층을 적층하여 소스 전극을 포함하는 데이터선과 드레인 전극을 형성하는 단계,
상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 유기 반도체를 형성하는 단계
를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제23항에서,상기 유기 반도체를 형성하는 단계는 상기 금속 산화물층과 상기 유기 반도체가 접촉하도록 상기 금속 산화물층 위에 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제23항에서,
상기 데이터 금속층과 상기 데이터 금속 산화물층은 동일한 금속을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제25항에서,
상기 금속은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 루비듐(Ru), 바나듐(V), 크롬(Cr), 아연(Zn), 인듐(In), 또는 알루미늄(Al)인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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