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유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134293
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하며 제1 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 반도체, 상기 게이트 전극과 상기 유기 반도체 사이에 위치하는 게이트 절연막, 그리고 상기 유기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 제2 유기 반도체 물질로 표면 처리되어 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체, 표면 처리, 접촉 저항
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자 1020080018795 (2008.02.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1124545-0000 (2012.02.29)
공개번호/일자 10-2009-0093332 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍문표 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김동우 대한민국 서울 성동구
3 김건수 대한민국 서울특별시 은평구
4 강상욱 대한민국 경기 용인시 수지구
5 손호진 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0150436-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0041100-47
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0200177-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0200178-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0325871-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0613025-80
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0613024-34
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0546370-13
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0053061-28
13 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0086761-28
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2011.03.21 수리 (Accepted) 7-8-2011-0007621-16
15 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0107436-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 위치하고 상기 게이트 전극과 중첩하며 제1 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 반도체, 그리고상기 소스 전극과 상기 유기 반도체 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체 사이에 위치하며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 표면에 선택적으로 표면 처리되어 있는 제2 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제1항에서,상기 유기 반도체와 상기 표면 처리된 소스 전극 사이의 에너지 준위 차이 및 상기 유기 반도체와 상기 표면 처리된 드레인 전극의 에너지 준위 차이는 각각 0
3 3
제2항에서,상기 제1 유기 반도체 물질 및 상기 제2 유기 반도체 물질은 각각 테트라센, 나프탈렌, 안트라센, 펜탄센, 티오펜, 티올안트라센, 티올펜탄센, 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene, TIPS 펜타센), 트리스(8-옥소퀴놀라토)알루미늄(Alq3), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, BCP), 바소페난트롤린(bathophenanthroline, Bphen) 및 이들의 유도체에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제3항에서,상기 제2 유기 반도체 물질은 에너지 준위 조절 치환기를 가지는 유기 박막 트랜지스터
5 5
제4항에서,상기 에너지 준위 조절 치환기는 친전자성 작용기를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
6 6
제3항에서,상기 제1 유기 반도체 물질과 상기 제2 유기 반도체 물질은 동일한 물질인 유기 박막 트랜지스터
7 7
제1항에서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
8 8
제1항에서,상기 게이트 절연막은 유기 절연 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
9 9
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계,전기 화학적 방법을 사용하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 표면을 유기 반도체 물질로 선택적으로 표면 처리하는 단계, 그리고상기 표면 처리된 소스 전극 및 드레인 전극 위에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제9항에서,상기 유기 반도체와 상기 표면 처리된 소스 전극 사이의 에너지 준위 차이 및 상기 유기 반도체와 상기 표면 처리된 드레인 전극 사이의 에너지 준위 차이는 0
12 12
제9항에서,상기 유기 반도체는 상기 표면 처리하는 단계에서 사용된 유기 반도체 물질과 동일한 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009108002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2009108002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009108002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2009108002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.