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IV-A 족 원소 나노입자 또는 유기 기능성기로 표면이 개질된 IV-A 족 원소 나노입자를 함유하는 도포용액을 제조하는 단계;
상기 도포용액을 피도포체에 도포하는 단계; 및
전자기파를 이용하여 상기 피도포체에 도포된 도포용액을 선택적으로 소결하는 단계
를 포함하고,
상기 소결 단계는 비진공 상태의 비활성 가스 분위기 또는 비진공 상태의 수소를 포함하는 가스 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
IV-A 족 원소 나노입자는 Si 나노입자, Ge 나노입자, Si-C 나노입자 및 Si-Ge 나노입자로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 도포용액의 점도는 8 내지 2000 poise인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 전자기파의 주파수 범위가 0
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제4항에 있어서,
상기 전자기파의 주파수는 433
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제1항에 있어서,
상기 도포용액 형성을 위해 사용되는 용매는 상기 전자기파의 주파수 2450 MHz 기준으로 유전 손실계수가 1
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7
제6항에 있어서,
상기 극성용매는 에틸렌클리콜, 포름산, 디메틸설폭사이드, 에탄올 및 물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 수소를 포함하는 가스 분위기는 1~90 부피%의 수소를 포함하는 질소, 아르곤, 헬륨, 네온 또는 공기 분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 수소를 포함하는 가스 분위기는 수소를 분해해 낼 수 있는 불소 또는 NH4F 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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11
제1항에 있어서,
상기 소결 단계에서 사용되는 가스 분위기는 산소가 10 부피% 미만으로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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12
제1항에 있어서,
상기 피도포체는 유리 기판, 알루미나 기판, 사파이어 기판, 다이아몬드 기판, 유기 폴리머 기판 및 무기물이 도포된 유기 폴리머 기판으로 이루어진 비금속 기판 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 소결 단계에서 상기 전자기파의 주파수를 변환시키면서 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자의 박막 형성방법
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14
제1항에 있어서,
상기 소결 단계에서 상기 전자기파는 지속파, 펄스파, 또는 지속 펄스파의 혼합 형태로 0
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제1항 내지 제7항, 제9항 내지 제14항 중에서 선택된 어느 한 항의 반도체 나노입자의 박막 형성방법을 이용하여 형성된 반도체 나노입자의 박막
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