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기판에 배면 전극을 형성하는 단계;
상기 배면 전극에 CIGS 재질의 광흡수층을 형성시키는 단계;
상기 광흡수층의 표면에 광흡수율 증가를 위한 나노 패턴이 형성되도록 상기 광흡수층을 표면 처리하는 단계; 및
상기 표면 처리된 광흡수층에 버퍼층과 투명전극을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 광흡수층의 표면 처리는 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 이온빔 처리 또는 플라즈마 처리에 이용되는 이온 또는 플라즈마는 아르곤, 질소, 산소, 및 CF4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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4
제2항에 있어서,
상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 1초 내지 1시간의 처리 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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5
제2항에 있어서,
상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 10 내지 100mA의 처리 전류를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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6
제2항에 있어서,
상기 이온빔 또는 플라즈마 처리는 100eV 내지 50,000eV의 처리 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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7
제2항에 있어서,
상기 나노 패턴은 상기 광흡수층의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 표면 처리는 상기 나노 패턴이 1 내지 1000 나노미터의 폭을 갖도록 처리되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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9
제7항에 있어서,
상기 표면 처리는 상기 나노 패턴이 1 내지 1000 나노미터의 높이를 갖도록 처리되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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10
제2항에 있어서,
상기 표면 처리는 상기 광흡수층이 갖는 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성을 변경시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 표면 처리는 Cu의 조성을 증가시키고, In, Ga, Se의 조성을 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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12
제10항에 있어서,
상기 표면 처리는 상기 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성이 상기 광흡수층의 두께 방향을 따라 점차적으로 변화되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
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13
투명전극;
상기 투명전극의 후방에 형성되며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 CIGS 재질의 광흡수층;
상기 투명전극과 광흡수층의 사이에 형성되는 버퍼층; 및
상기 광흡수층의 후면에 형성되는 배면전극을 포함하고,
상기 광흡수층은 광흡수율이 증가되도록 표면 처리를 통한 나노 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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14
제13항에 있어서,
상기 나노 패턴은 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 상기 광흡수층의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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15
제14항에 있어서,
상기 나노 패턴은 양자점, 나노 로드(rod), 나노 채널(channel)
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16
제14항에 있어서,
상기 나노 패턴은 1 내지 1000 나노미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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17
제14항에 있어서,
상기 나노 패턴은 1 내지 1000 나노미터의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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18
제14항에 있어서,
상기 나노 패턴은 상기 광흡수층과 버퍼층의 결정립들 사이에 전도 패스(conduction path)를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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19
제13항에 있어서,
상기 광흡수층은 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성을 가지며,
상기 표면 처리에 의하여 Cu(InxGa1-x)Se2의 조성이 변경되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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20
제19항에 있어서,
상기 Cu(InxGa1-x)Se2는 상기 광흡수층의 두께 방향을 따라 다른 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
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태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 태양전지의 광흡수층 제조 방법에 있어서,
기판에 CIGS 박막을 증착하는 단계; 및
상기 CIGS 박막의 표면에 광흡수율 증가를 위한 나노 패턴이 형성되도록 상기 CIGS 박막을 표면 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조 방법
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22
제21항에 있어서,
상기 CIGS 박막의 표면 처리는 이온빔 또는 플라즈마 처리를 통해 수행되며, 상기 나노 패턴은 상기 CIGS 박막의 두께 방향으로 돌출된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 광흡수층 제조 방법
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