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유리 기판과;
상기 유리 기판 위에 투명전극으로 형성된 제1전극과;
상기 제1전극 위에 형성되고 단일층으로 이루어진 활성층과;
상기 활성층 위에 형성된 제2전극;
을 포함하여 구성되고,
상기 활성층은,
p-형 고분자 유기물 입자들로 이루어진 고분자 핵의 표면에 반도체 나노결정들이 착상된 형태로 하여 상기 반도체 나노결정들이 상기 고분자 핵의 주변을 둘러싸면서 균일하게 등방적 분포되고 이를 다시 n-형 저분자 유기물 입자들이 둘러싸는 일체형 핵-껍질 구조의 p-i-n 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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청구항 1에 있어서,
상기 p-형 고분자 유기물은 PVK(Poly(N-vinylcarbazole)), MEH-PPV(Poly[1-methoxy-4-(2-ethethylhexyloxy-2,5-phenylenevinylene)]), PPV(Poly(phenylene vinylene)), PFO(Polyfluorenes), PFO-DMP(Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with dimethylphenyl) 중 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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3
청구항 1에 있어서,
상기 n-형 저분자 유기물은 TPBi(1,3,5-tirs-(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene) TPD(N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline) 중에 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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4
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 나노결정은 CdSe/ZnS 양자점, ZnCdSe/ZnS 양자점, Si/SiO2 양자점, Si 나노결정, 구리가 도핑된(Cu-dopped) ZnS 나노결정, ZnO 나노입자 중에 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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5
청구항 1에 있어서,
상기 p-형 고분자 유기물이 PVK(Poly(N-vinylcarbazole))이고, 상기 n-형 저분자 유기물은 TPBi(1,3,5-tirs-(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene)이며, 상기 반도체 나노결정이 CdSe/ZnS 양자점인 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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청구항 1에 있어서,
상기 제2전극이 투명전극으로 형성되어 교류 전압 구동시에 양방향으로 전계 발광이 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자
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유리 기판 위에 투명전극으로 제1전극을 형성하는 단계와;
p-형 고분자 유기물 및 반도체 나노결정, n-형 저분자 유기물을 용매에 첨가하여 혼합용액을 제조한 뒤, 상기 혼합용액을 제1전극/유리 기판 위에 스핀 코팅하는 방법으로 상기 제1전극 위에 활성층을 형성하는 단계와;
상기 활성층 위에 제2전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
용매 100 중량%에 대해 p-형 고분자 유기물 0
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청구항 7에 있어서,
상기 p-형 고분자 유기물로 PVK(Poly(N-vinylcarbazole)), MEH-PPV(Poly[1-methoxy-4-(2-ethethylhexyloxy-2,5-phenylenevinylene)]), PPV(Poly(phenylene vinylene)), PFO(Polyfluorenes), PFO-DMP(Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with dimethylphenyl) 중 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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10
청구항 7에 있어서,
상기 n-형 저분자 유기물로 TPBi(1,3,5-tirs-(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene) TPD(N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline) 중에 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
상기 반도체 나노결정으로 CdSe/ZnS 양자점, ZnCdSe/ZnS 양자점, Si/SiO2 양자점, Si 나노결정, 구리가 도핑된(Cu-dopped) ZnS 나노결정, ZnO 나노입자 중에 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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12
청구항 7에 있어서,
상기 p-형 고분자 유기물로 PVK(Poly(N-vinylcarbazole))를 사용하고, 상기 n-형 저분자 유기물로 TPBi(1,3,5-tirs-(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene)를 사용하며, 상기 반도체 나노결정으로 CdSe/ZnS 양자점을 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
상기 용매로 톨루엔, 클로로포름(CHCl3), 디메틸포름아미드(DMF) 중 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
상기 스핀 코팅은 회전속도 1000 ~ 3000 rpm, 회전시간 10 ~ 30 초, 코팅 두께 100 ~ 200 nm로 실시하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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청구항 7에 있어서,
상기 제2전극으로 투명전극을 형성하여 교류 전압 구동시에 양방향으로 전계 발광이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 단일 활성층 구조를 가지는 교류 구동형 발광소자의 제조방법
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