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기판과;
상기 기판 상에 형성되며, 금속산화물을 포함하여 이루어지고 내경이 20 ㎚ - 3000 ㎚인 중공형 튜브들을 포함하는 금속산화물층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물층은,
상기 기판 상에 형성되며 상기 금속산화물을 포함하여 이루어진 바닥층과;
상기 바닥층 상에 일체로 결합하도록 형성되며 상기 중공형 튜브들이 서로 뒤얽혀 형성하는 3차원의 다공성 웹층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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3
제 1 항에 있어서, 상기 중공형 튜브는 상부의 두께가 측부 및 하부의 두께보다 두꺼운 비등방성 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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4
제 1 항에 있어서, 상기 중공형 튜브는 완전한 튜브형태이거나 단면이 말발굽 형태인 불완전한 튜브형태인 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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5
제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물은 RuO2, IrO2, TiO2, ZnO, MoO3, SnO2, Nb2O5, NiO, In2O3, WO3, LiMn2O4, LiCoO2, SrTiO3 및 SrTi0
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6
제1항에 있어서, 상기 전기화학소자는 가스센서, 이차전지, 태양전지 또는 전기화학 캐패시터인 것을 특징으로 하는 전기화학소자
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7
(1) 용매에 고분자가 용해된 고분자 용액을 준비하는 단계와;
(2) 기판 위에 상기 고분자 용액을 전기장 하에서 방사하여, 고분자 섬유들이 뒤얽힌 고분자 섬유 웹을 형성하는 단계와;
(3) 상기 고분자 섬유 웹이 형성된 기판 상에 금속산화물을 증착하는 단계와;
(4) 상기 (3)단계를 거쳐 금속산화물이 증착된 기판을 열처리하여, 상기 고분자 섬유들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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8
제 7 항에 있어서, 상기 (3) 단계의 증착시간을 조절하여 상기 (4) 단계 후에 형성되는 중공형 튜브가 완전한 튜브형태이거나 단면이 말발굽 형태인 불완전한 튜브형태가 되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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9
제 7 항에 있어서, 상기 금속산화물을 증착하는 단계는 스퍼터링 법 또는 pulsed laser deposition 법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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10
제 7 항에 있어서, 상기 고분자는 폴리비닐 아세테이트, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 유도체, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜 (PVA), 폴리퍼퓨릴알콜 (PPFA), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드 (PEO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 (PPO), 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 고분자 섬유들의 직경은 20 ㎚ - 3000 ㎚인 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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12
제 7 항에 있어서, 상기 방사는 전기방사 (electro-spinning), 멜트블로운 (melt-blown), 플레쉬방사 (flash spinning) 또는 정전멜트블로운법 (electrostatic melt-blown)인 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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13
제 7 항에 있어서, 상기 금속산화물은 RuO2, IrO2, TiO2, ZnO, MoO3, SnO2, Nb2O5, NiO, In2O3, WO3, LiMn2O4, LiCoO2, SrTiO3 및 SrTi0
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제 7 항에 있어서, 상기 열처리는 300 - 800 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전기화학소자 제조방법
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