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1
실리콘 기판;
상기 실리콘 기판 상에 형성된 p형 전극;
상기 p형 전극 상부의 양단에 형성된 제1패시베이션층;
상기 제1패시베이션층의 안쪽 면에 코팅되어 형성되는 제2패시베이션층;
상기 제2패시베이션층 사이 공간의 p형 전극 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 증착되어 형성된 발광부; 및
상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극
을 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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2
제 1항에 있어서,
상기 제1패시베이션층과 제2패시배이션층은 서로 다른 계열의 절연물질로 이루어진 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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3
실리콘 기판;
상기 실리콘 기판 상에 금속물질이 복수의 층으로 증착되며, 최상단에 위치한 금속층의 양 끝단의 영역이 다른 영역 보다 수직으로 더 길게 형성된 p형 전극;
상기 p형 전극 내부 공간의 양단에 형성되되, 최상단에 위치한 상기 금속층의 양 끝단의 높이와 동일한 높이를 갖도록 형성되는 제1패시베이션층;
상기 제1패시베이션층 사이 공간의 p형 전극 상에 언도프된 n형 반도체층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 증착되어 형성된 발광부; 및
상기 n형 반도체층 상의 일부분에 형성된 n형 전극
을 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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| 4 |
4
제 3항에 있어서,
상기 제1패시베이션층의 안쪽 면에 서로 다른 계열의 절연물질로 코팅되어 있는 제2패시베이션층을 더 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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5
제 2항 또는 제 4항에 있어서,
상기 제2패시베이션층의 굴절률은 상기 제1패시베이션층의 굴절률보다 큰 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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6
제 2항 또는 제 4항에 있어서,
상기 제2패시베이션층의 계면에서의 누설전류는 상기 제1패시베이션층의 계면에서의 누설전류보다 작은 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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7
제 2항 또는 제 4항에 있어서,
상기 제1패시베이션층 또는 제2패시베이션층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 이산화티타늄(TiO2) 및 탄탈륨 산화막(TaxOy) 중 선택된 어느 하나의 절연물질로 이루어진 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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8
제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 제1패시베이션층의 두께는 4 내지 20㎛, 너비는 20 내지 500㎛인 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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9
제 1항 또는 제 4항에 있어서,
상기 제2패시베이션층의 너비는 1000Å 내지 10㎛인 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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10
제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 p형 전극은 니켈, 백금, 은 및 금 중 선택된 어느 하나 이상의 금속물질이 복수 개의 층으로 증착되어 이루어지며, 오믹컨택층과 반사막을 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드
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11
사파이어 기판 상에 패시베이션층을 증착하는 제1단계;
상기 패시베이션층을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 사파이어 기판의 양단에만 형성하는 제2단계;
제1패시베이션층의 안쪽 면에 상기 제1패시베이션층과는 다른 계열의 물질을 코팅하여 제2패시베이션층을 형성하는 제3단계;
상기 제2패시베이션층 사이 공간에 언도프된 n형 반도체층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 증착하여 발광부를 형성하는 제4단계;
상기 p형 반도체층 상에 금속물질을 복수 개의 층으로 증착하여 p형 전극을 형성하는 제5단계;
상기 p형 전극 상에 실리콘 기판을 접합시킨 후, 레이저 리프트 오프 공정을 이용해 상기 사파이어 기판을 제거하는 제6단계;
상기 사파이어 기판을 제거함으로써 노출된 상기 언도프된 n형 반도체층을 제거하는 제7단계; 및
상기 발광부의 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 제8단계
를 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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12
제 11항에 있어서,
상기 제1패시베이션층 또는 제2패시베이션층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 이산화티타늄(TiO2) 및 탄탈륨 산화막(TaxOy) 중 선택된 어느 하나의 절연물질로 이루어진 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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13
제 11항에 있어서,
상기 제1패시베이션층의 두께는 4 내지 20㎛, 너비는 20 내지 500㎛으로 형성되는 외부양자효율 개선을 위한 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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14
제 11항에 있어서,
상기 제2패시베이션층의 너비는 1000Å 내지 10㎛인 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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15
제 11항에 있어서,
상기 제5단계의 p형 전극은,
니켈과 금을 순차적으로 증착한 후, 400 내지 900℃의 온도로 열처리하여 오믹컨택층을 형성하는 단계;
상기 오믹컨택층 상에 은을 1000 내지 5000Å의 두께로 증착하여 반사막을 형성하는 단계;
상기 반사막 상에 니켈과 백금을 순차적으로 증착하는 단계; 및
상기 백금 상에 니켈과 금을 순차적으로 증착하는 단계
를 포함하여 형성되는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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16
제 11항에 있어서,
상기 제4단계 이후에,
상기 제1패시베이션층의 상기 발광부와 접하는 반대쪽 면의 소정 영역을 식각하여, 상기 사파이어 기판과 식각되고 남은 제1패시베이션층을 계단식으로 형성하는 단계를 더 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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17
제 16항에 있어서,
상기 제5단계의 p형 전극은,
상기 발광부와 제1패시베이션층의 상부 및 제1패시베이션층의 식각된 영역을 뒤덮도록 니켈과 금을 순차적으로 증착한 후, 400 내지 900℃의 온도로 열처리하여 오믹컨택층을 형성하는 단계;
상기 오믹컨택층 상에 은을 1000 내지 5000Å의 두께로 증착하여 반사막을 형성하는 단계;
상기 반사막 상에 니켈과 백금을 차례로 증착하는 단계; 및
상기 백금층 상에 니켈을 증착한 후, 금을 증착하는 단계
를 포함하여 구성되는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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18
제 15 또는 제 17항에 있어서,
상기 니켈, 금, 백금은 10nm 이하의 두께로 증착되는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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19
제 15 또는 제 17항에 있어서,
상기 금속물질은 일렉트로빔(e-beam)증착, 열증착, 전해도금증착 및 무전해도금증착 중 선택된 어느 하나로 증착하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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20
제 11항에 있어서,
상기 제3단계 이후에 상기 발광부의 높이에 맞춰 여분의 상기 패시베이션층을 습식 또는 건식 식각하여 단차를 맞추는 단계를 더 포함하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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21
제 11항에 있어서,
상기 제8단계는 플라즈마를 이용한 식각 공정을 이용하는 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드의 제조방법
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