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차세대 조명 및 디스플레이 산업을 위한 Indium-free의 투명전극기술
- 기술번호 : KST2015014909
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 질화물 발광 소자의 투명 전극층 내부에 공극이 포함되도록 형성하되, 공극의 양이 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 감소되도록 형성함으로써, 투명 전극층 전체적으로 하부에서 상부로 갈수록 굴절율이 감소하도록 형성하였다. 따라서, 본 발명은 투명 전극층에 포함되는 공극양을 점진적으로 조절하여 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있는 효과가 있고, 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있음으로 인해서 투명 전극층에 맞닿은 물질과의 계면에서 전반사가 발생하지 않도록 투명 전극층을 형성하여 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/42 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070108555 (2007.10.26) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0905442-0000 (2009.06.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0042675 (2009.04.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090702) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.10.26) |
| 심사청구항수 | 13 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김태근 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 임시종 | 대한민국 | 서울시 서대문구 |
| 3 | 신영철 | 대한민국 | 서울시 서초구 |
| 4 | 이병규 | 대한민국 | 서울시 도봉구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김정식 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.10.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0771071-48 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0348274-80 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0606067-74 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0606069-65 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0617392-02 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.01.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0057557-46 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.01.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0057570-30 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.06.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0262073-50 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 질화물층이 형성된 기판; 및 상기 질화물층 위에, 내부에 공극을 포함하도록 형성된 투명 전극층을 포함하고, 상기 투명 전극층은 하부에서 상부로 공극의 양이 점증하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 |
| 3 |
3 질화물층이 형성된 기판; 및 상기 질화물층 위에, 내부에 공극을 포함하도록 형성된 투명 전극층을 포함하고, 상기 투명 전극층은 하부에서 상부로 갈수록 상기 투명 전극층을 형성하는 물질의 양이 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 |
| 4 |
4 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 투명 전극층을 형성하는 물질은 나사선 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 |
| 5 |
5 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 투명 전극층을 형성하는 물질들 사이에 형성된 상기 공극은 나사선 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 |
| 6 |
6 (a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 회전하는 상기 기판으로 투명 전극층을 형성하는 물질이 입사되는 각을 변화시키면서 상기 질화물층 위에, 내부에 공극을 포함한 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 공극의 양은 상부로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 투명 전극층을 형성하는 물질이 상기 기판에 입사되는 각을 수직에서 수평으로 변화시키면서 상기 투명 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 투명 전극층을 형성하는 물질을 방사하는 소오스에 대한 상기 기판의 기울기를 변화시키면서 상기 투명 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 9 |
9 (a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; (b) 상기 질화물층에 공극 형성 구조물들을 형성하는 단계; (c) 상기 공극 형성 구조물들 사이의 공극에 투명 전극층 형성 물질을 침투시켜 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 공극 형성 구조물들을 제거하여 투명 전극층에 상부로 갈수록 그 양이 증가하는 공극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는, 회전하는 상기 기판으로 상기 공극 형성 구조물들을 형성하는 물질이 입사되는 각을 변화시키면서 증착하여 상기 공극 형성 구조물들을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서, 상기 공극 형성 구조물은 상기 기판의 표면에서 상부로 갈수록 부피가 증가하는 나사선 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서, 상기 공극 형성 구조물을 형성하는 물질은 실리콘 산화물인 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 13 |
13 제 9 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 공극 형성 구조물들 사이의 공극에 투명 전극층 형성 물질의 Sol-Gel을 침투시켜 투명 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 기판을 투명 전극층 형성 물질의 Sol-Gel을 스핀 코팅하여 투명 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 공극 형성 구조물들의 상부가 드러나도록 상기 투명 전극층의 상부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0905442-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071026 출원 번호 : 1020070108555 공고 연월일 : 20090702 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090622 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 33/00 B03 발명의 명칭 : 발광 효율 향상을 위한 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20140625 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2009년 06월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2012년 03월 19일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2013년 04월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.10.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0771071-48 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2008.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0348274-80 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0606067-74 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0606069-65 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2008.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0617392-02 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.01.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0057557-46 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.01.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0057570-30 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 10 | 등록결정서 | 2009.06.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0262073-50 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술번호 | KST2015014909 |
|---|---|
| 자료제공기관 | 미래기술마당 |
| 기술공급기관 | 고려대학교 |
| 기술명 | 차세대 조명 및 디스플레이 산업을 위한 Indium-free의 투명전극기술 |
| 기술개요 |
본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 질화물 발광 소자의 투명 전극층 내부에 공극이 포함되도록 형성하되, 공극의 양이 투명 전극층의 하부에서 상부로 갈수록 점진적으로 감소되도록 형성함으로써, 투명 전극층 전체적으로 하부에서 상부로 갈수록 굴절율이 감소하도록 형성하였다. 따라서, 본 발명은 투명 전극층에 포함되는 공극양을 점진적으로 조절하여 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있는 효과가 있고, 투명 전극층의 굴절률을 조절할 수 있음으로 인해서 투명 전극층에 맞닿은 물질과의 계면에서 전반사가 발생하지 않도록 투명 전극층을 형성하여 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | LED, OLED, 태양전지 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345099665 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0053768 |
| 연구과제명 | GaNLED의신뢰성및출력향상을위한Al기반고반사전극구조연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200705~201102 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415088474 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10030797 |
| 연구과제명 | 이종기판을이용한0.5W급이상대면적,고출력청색발광다이오드개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200712~201011 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1340027913 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1602 |
| 연구과제명 | BK21정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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