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나노와이어 전사방법

  • 기술번호 : KST2014028376
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어 소자를 다른 기판에 트랜스퍼시키는 방법에 있어서, 나노와이어가 제작된 제1 기판을 준비하는 단계; 제 2기판에 돌출부가 형성되도록 단차를 형성하는 단계; 상기 단차 형성된 제2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼시키는 단계; 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에서 분리하는 단계를 포함하는 나노와이어 전사방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 단차 형성된 기판의 돌출부에만 전사시킬 수 있으므로 선명한 나노와이어를 집적도를 높여 웨이퍼 기판으로 대량 생산이 가능한 효과를 가진다. 나노와이어, 트랜스퍼, 열산화막 공정, PR(Photo-Resist), 식각
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080050765 (2008.05.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1043947-0000 (2011.06.17)
공개번호/일자 10-2009-0124504 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석원 대한민국 경기 오산시
2 신규식 대한민국 서울 중랑구
3 이국녕 대한민국 서울 성북구
4 김원효 대한민국 경기 용인시 기흥구
5 이민호 대한민국 서울시 영등포구
6 성우경 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)
3 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0389095-62
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0247197-69
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0179764-89
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0419930-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0419942-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541121-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0055464-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0055470-85
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293634-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노와이어가 제작된 제1 기판을 준비하는 단계; 제2 기판에 돌출부가 형성되도록 단차를 형성하는 단계; 단차가 형성된 상기 제2 기판에 열산화막을 형성하는 단계; 열산화막이 형성된 상기 제2 기판에 점착제를 코팅하는 단계; 및 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼하는 단계 를 포함하는 나노와이어 전사방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노와이어를 상기 제2 기판에 트랜스퍼하는 단계는, 상기 나노와이어를 상기 점착제에 점착시키는 단계; 및 점착된 상기 나노와이어와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 단계 를 포함하는 나노와이어 전사방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 나노와이와 상기 제1 기판을 서로 분리하는 단계는 제1 기판의 지지기둥과 나노와이어의 연결을 단절시키는 나노와이어 전사방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 열산화막이 형성된 상기 제2 기판에 점착제를 코팅하는 단계는, 상기 제2 기판에 코팅된 점착제 중 상기 돌출부에 코팅된 점착제를 제외한 나머지 점착제를 제거하는 단계를 포함하는 나노와이어 전사방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 돌출부는, 상기 나노와이어가 전사되는 부분인 것을 특징으로 하는 나노와이어 전사방법
6 6
점착층이 도포된 돌출부가 형성된 기판; 및 상기 점착층에 점착된 나노와이어 를 포함하는 나노와이어 기판
7 7
제 6항에 있어서, 상기 점착층의 소재는 PR(Photo-Resist), PDMS(PolyDiMethylSiloxane), 플렉시블 폴리머, 점착성 폴리머, 열적 리플로우 폴리머, 플렉시블 기판 및 점성 기판 중 어느 하나를 이용하는 나노와이어 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 전자부품연구원 전자부품기반기술개발사업 나노와이어 기반 유비쿼터스 바이오센서 기술 개발