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분자선 에피탁시 장치의 성장챔버에서, N 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 기판에 증착시켜서 제1 금속 N 화합물층을 형성시키는 제1단계;상기 제1 금속 N 화합물층 상에 금속 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 증착시켜서 제2 금속 N 화합물층을 형성시키는 제2단계;상기 제2 금속 N 화합물층 상에 N 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜서 제1 GaN층을 형성시키는 제3단계; 및상기 제1 GaN층 상에 Ga 과잉의 GaN을 증착시켜서 제2 GaN층을 형성시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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분자선 에피탁시 장치의 성장챔버에서, N 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 기판에 증착시켜서 제1 금속 N 화합물층을 형성시키는 제1단계;상기 제1 금속 N 화합물층 상에 금속 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 증착시켜서 제2 금속 N 화합물층을 형성시키는 제2단계;상기 제1 금속 N 화합물층 상에 N 플럭스 과잉 상태의 금속 GaN 화합물을 증착시켜서 금속 GaN 화합물층을 형성시키는 완충층 형성단계;상기 금속 GaN 화합물층 상에 N 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜서 제1 GaN층을 형성시키는 제3단계; 및상기 제1 GaN층 상에 Ga 과잉의 GaN을 증착시켜서 제2 GaN층을 형성시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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제 2 항에 있어서, 상기 금속 GaN 화합물층은 상기 금속과 Ga의 조성비가 다른 다수의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속 GaN 화합물층은 질소 플럭스 과잉의 금속 GaN 화합물층과, 금속 과잉의 금속 GaN 화합물층으로 분리돼 이루어진 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제4단계에서 잉여 Ga 원자에 의해 형성되는 GaN cluster 형성이 방지되도록, 상기 제2 GaN층 성장 중 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 N 화합물 또는 금속 GaN 화합물에 적용되는 금속은 Al인 것을 특징으로 하는 소스 플럭스 조정에 의한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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