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박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014028510
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 챔버에 아연 또는 산화아연 소결체를 포함한 타겟 및 이와 마주하는 기판을 배치하는 단계, 상기 기판을 상온으로 유지하는 단계, 그리고 상기 타겟에 레이저를 조사하여 상기 기판 위에 아연 박막 또는 산화아연 박막을 성장하는 단계, 성장된 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법에 관한 것이다.펄스 레이저 증착, 산화아연, 아연, 박막
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020060112007 (2006.11.14)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0842876-0000 (2008.06.25)
공개번호/일자 10-2008-0043440 (2008.05.19) 문서열기
공고번호/일자 (20080702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장영래 대한민국 서울 동대문구
2 박승민 대한민국 서울 노원구
3 유건호 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0830619-41
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0024824-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2007-5065076-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0663521-84
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0099070-52
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0161827-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0161826-51
10 등록결정서
Decision to grant
2008.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0197498-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버에 아연 또는 산화아연 소결체를 포함한 타겟 및 이와 마주하는 기판을 배치하는 단계,상기 기판을 상온으로 유지한 상태에서 상기 타겟에 레이저를 조사하여 상기 기판 위에 아연 박막 또는 산화아연 박막을 성장하는 단계, 그리고상기 박막을 성장하는 단계 후에 상기 박막을 결정화하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
2 2
제1항에서,상기 박막을 성장하는 단계 전에 상기 챔버 내에 산소를 공급하는 단계를 더 포함하는 박막 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에서,상기 박막을 결정화하는 단계는 상기 기판을 열처리하여 수행하는 박막 형성 방법
5 5
제4항에서,상기 열처리는 급속 열처리 방법(rapid thermal annealing, RTA)으로 수행하는 박막 형성 방법
6 6
제5항에서,상기 열처리는 700 내지 900℃에서 수행하는 박막 형성 방법
7 7
제5항에서,상기 열처리는 비활성 기체 분위기에서 수행하는 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.