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이온빔 스퍼터링 증착법을 이용한 Zr 나노점 플래쉬 메모리 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036922
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고진공의 청정 조건하에서 증착 조건을 제어할 수 있는 이온빔 스퍼터링 증착법을 이용하여 Zr 및 ZrO2 나노점을 부유 게이트로 하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법에 의하여 플래쉬 메모리 소자를 제조함으로써 원하는 위치에 균일한 밀도의 Zr 나노점을 상온에서 형성할 수 있어 확산이나 내부섞임 등의 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다.플래쉬 메모리 소자, NFGM, 금속 나노점, 이온빔 스퍼터링 증착법
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090057452 (2009.06.26)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1174750-0000 (2012.08.10)
공개번호/일자 10-2011-0000090 (2011.01.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 홍승휘 대한민국 서울특별시 성북구
3 김민철 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0388773-76
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091496-41
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0285441-44
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0366659-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0366661-15
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0700868-41
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.01.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0000422-56
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0152816-68
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0388570-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0464831-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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웨이퍼 표면을 전처리하여 자연 산화막을 제거하는 단계(A단계);상기 전처리한 웨이퍼 상에 터널 옥사이드 층을 증착시키는 단계(B단계);상기 터널 옥사이드 상에 부유게이트로서 Zr 나노점 층을 증착시키는 단계(C단계); 및상기 Zr 나노점 상에 컨트롤 옥사이드 층을 증착시키는 단계(D단계)로 이루어지며; 상기 각 층의 증착이 이온빔 스퍼터링 증착이 상온에서 베이스 압력 5 × 10-9torr의 초진공하에 수행되고;상기 D단계 이후 제조된 Zr 나노점 플래쉬 메모리 소자를 600 내지 900 ℃로 열처리하는 단계를 추가로 포함하여 Zr 나노점을 ZrO2 나노점으로 산화시키는 것을 특징으로 하는 Zr 나노점 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법
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3 3
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.