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불규칙적인 또는 규칙적인 배열의 금속 나노 입자 층을 이용한 실리콘 박막 태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014029820
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 불규칙적인 또는 규칙적인 배열의 금속 나노 입자 층을 이용한 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명의 태양 전지는 유리 기판과 투명 전도체 층 사이, 비결정질 실리콘 태양 전지 층 또는 미결정질 태양 전지 층과 후면 반사 및 전극 층 사이에 불규칙적인 또는 규칙적인 배열을 갖는 금속 나노 입자 층을 형성하여 표면 텍스쳐링(texturing) 효과와 국부 표면 플라즈몬 공명(Localized Surface Plasmon Resonance, LSPR)에 의해 광 흡수 효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/03921(2013.01) H01L 31/03921(2013.01) H01L 31/03921(2013.01)
출원번호/일자 1020100006765 (2010.01.26)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1164326-0000 (2012.07.03)
공개번호/일자 10-2011-0087378 (2011.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천광역시 남구
2 이동진 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0051533-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0198864-71
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0443996-23
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0443995-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0649744-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0001280-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0001281-98
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0260554-56
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0456028-02
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0375028-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리 기판 위에 실리카 혹은 폴리스티렌 구를 스핀코팅(spin coating)하여 형성된 실리카 혹은 폴리스티렌 단층(monolayer)위에 스퍼터링을 이용하여 증착된 금속 층의 규칙적 배열을 가지는 제1 금속 나노 입자 층;상기 제1 금속 나노 입자 층 위에 적층된 투명 전도체 층;상기 투명 전도체 층 위에 적층된 비결정질 실리콘 태양 전지 층;상기 비결정질 실리콘 태양 전지 층 위에 적층된 후면 반사 층; 및상기 후면 반사 층 위에 배치된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지
2 2
유리 기판 위에 적층된 투명 전도체 층;상기 투명 전도체 층 위에 적층된 비결정질 실리콘 태양 전지 층;상기 비결정질 실리콘 태양 전지 층 위에 실리카 혹은 폴리스티렌 구를 스핀코팅(spin coating)하여 형성된 실리카 혹은 폴리스티렌 단층(monolayer)위에 스퍼터링을 이용하여 증착된 금속 층의 규칙적 배열을 가지는 제2 금속 나노 입자 층;상기 제2 금속 나노 입자 층 위에 적층된 후면 반사 층; 및상기 후면 반사 층 위에 배치된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지
3 3
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속은, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)이 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지
4 4
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 금속 나노 입자 층과 상기 제2 금속 나노 입자 층은, 스퍼터링 후 열처리를 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지
5 5
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 / 한국과학재단 인하대학교 산학협력단 차세대 신기술 개발사업 / 우수연구센터(ERC) 사업 광결정 및 초상유전 LED 기술 개발 / VLSI형 나노 광자회로 O-PCCB 요소기술 개발