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박막형 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014030855
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 태양전지와 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 p형 반도체층에 밴드갭이 큰 물질을 사용하여 태양전지의 효율을 향상시킨 박막형 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막형 태양전지는, i형 반도체층; 상기 i형 반도체층의 일면에 접하는 n형 반도체층; 및 상기 i형 반도체층의 타면에 접하는 p형의 비정질 SiOx 박막으로 이루어진 p형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 밴드갭이 큰 물질을 태양광이 입사하는 p형 반도체층에 적용함으로써 박막형 태양전지의 효율이 크게 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/075 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020100038143 (2010.04.23)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1083402-0000 (2011.11.08)
공개번호/일자 10-2010-0117539 (2010.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090036089   |   2009.04.24
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김영국 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 박진주 대한민국 서울특별시 동대문구
4 이영석 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 윤기찬 대한민국 인천광역시 서구
6 이선화 대한민국 충청남도 홍성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0264655-36
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0380597-55
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0695201-54
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0695202-00
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0648189-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i형 반도체층;상기 i형 반도체층의 일면에 접하는 n형 반도체층; 및상기 i형 반도체층의 타면에 접하는 p형의 비정질 SiOx 박막으로 이루어진 p형 반도체층을 포함하며,상기 비정질 SiOx 박막의 Si:O의 비율이 x003c#0
2 2
청구항 1에 있어서,상기 i형 반도체층이 비정질 실리콘박막, 미세결정질 실리콘박막 및 나노결정질 실리콘박막 중에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 비정질 SiOx 박막에 B가 도핑된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
5 5
청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층의 두께가 10~15nm인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
6 6
청구항 1에 있어서,상기 i형 반도체층의 두께가 300~400nm인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
7 7
청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층의 두께가 20~25nm인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
8 8
p형 반도체층과 i형 반도체층 및 n형 반도체층을 순차적으로 형성하거나, n형 반도체층과 i형 반도체층 및 p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 p형 반도체층이 비정질의 수소화된 SiOx 박막이며,상기 p형 반도체층을 형성하는 반응가스는 N2O이고, 상기 반응가스인 N2O는 상기 p형 반도체층을 형성하는 실리콘 소스물질 대비 50∼70 부피%로 사용되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 p형 반도체층을 형성하는 방법이 PECVD 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 p형 반도체층을 형성하는 공정에서 사용하는 실리콘 소스물질이 SiH4 또는 Si2H6인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
11 11
삭제
12 12
청구항 8에 있어서,상기 p형 반도체층을 형성하는 공정에서 불순물을 도핑하기 위해 사용하는 가스가 B2H6인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
13 13
청구항 9에 있어서,상기 p형 반도체층에서 PECVD 공정은 전극거리 50∼70 mm, 공정압력 0
14 14
청구항 13에 있어서,상기 p형 반도체층에서 PECVD 공정은 전극거리 60 mm, 공정압력 0
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
청구항 12에 있어서,상기 불순물을 도핑하기 위해 사용하는 가스인 B2H6는 실리콘 소스물질 대비 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 기초기술연구회사업(교과부소관연구개발사업처리규정) 나노 결정 실리콘 기반 고효율 태양전지 개발