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염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142919
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 염료감응형 태양전지 및 이의 제조 방법이 개시된다. 염료감응형 태양전지는 탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함할 수 있다. 본 발명은 금속 전극보다 물리적 특성이 우수한 탄소나노로드 전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.태양전지, 탄소나노튜브, 탄소나노로드
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) C01B 31/02 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01)
출원번호/일자 1020070033488 (2007.04.04)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0877517-0000 (2008.12.30)
공개번호/일자 10-2008-0090226 (2008.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20090109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.04)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기도 화성시
2 부진효 대한민국 경기도 부천시 소사구
3 최원석 대한민국 서울특별시 노원구
4 박용섭 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 이성욱 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 최은창 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 정성훈 대한민국 서울시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0262256-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006443-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0088815-59
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0283027-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0352670-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0352703-79
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0444103-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0696080-01
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0696062-89
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0696092-48
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0647343-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노로드층을 구비한 하부전극; 및상부전극과 상기 하부전극 사이에 구비되고, 탄소나노튜브를 갖는 염료층을 포함하되,상기 탄소나노튜브는 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 하부전극은 FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 상기 탄소나노로드층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
3 3
청구항 2에 있어서,상기 탄소나노로드층은 상기 FTO 기판과 상기 탄소나노로드층 사이에 구성된 촉매층을 촉매로 하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
4 4
청구항 3에 있어서,상기 촉매층은 Ti 금속층과 Ni 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
5 5
청구항 4에 있어서,상기 Ti 금속층과 Ni 금속층은 각각 20, 40 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
6 6
청구항 3에 있어서,상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
7 7
청구항 6에 있어서,상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
8 8
청구항 3에 있어서,상기 성장된 탄소나노로드층의 탄소나노로드는 30~50nm의 직경과 300nm이상의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
9 9
청구항 1에 있어서,상기 탄소나노로드층은 5mΩㆍcm 이하의 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
삭제
11 11
청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 60 nm의 Ti/Ni층을 촉매로 하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
12 12
청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
13 13
청구항 1에 있어서,상기 탄소나노튜브는 80~100nm의 직경과 5~6μm이상의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
14 14
탄소나노로드층을 성장시켜 하부 전극을 형성하는 하부전극형성단계;탄소나노튜브를 성장시켜 염료층을 형성하는 염료층형성단계;전도성 산화물이 증착된 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계; 및상기 상부 전극, 상기 염료층 및 상기 하부전극을 합착하고, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 하부전극형성단계는,FTO(Fluorine doped-Tin Oxide) 기판에 Ti 및 Ni를 증착시켜 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 촉매층을 촉매로 하여 탄소나노로드층을 성장시키는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
16 16
청구항 14에 있어서,상기 탄소나노로드층은 Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 탄소나노로드층은 400℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 3:1 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
18 18
청구항 14에 있어서, 상기 염료층형성단계는,Hot-filament 플라즈마 화학기상증착법(HF-PECVD)을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 탄소나노튜브를 염료에 소정 시간 동안 침지시켜 혼합 및 흡착하는 단계를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
19 19
청구항 18에 있어서,상기 탄소나노튜브는 600℃의 온도 조건과 암모니아(NH3)와 아세틸렌(C2H2)이 126:47 sccm 비율로 혼합된 분위기에서 성장된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090000663 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009000663 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.