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3차원 인터커넥션 구조 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014031615
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼를 이용하여 3차원으로 적층된 칩 또는 패키지의 인터커넥션, 또는 웨이퍼 자체의 상면, 하면간의 인터커넥션을 위한 3차원 인터커넥션 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 3차원 인터커넥션 구조는 일측면은 중앙부분이 볼록한 역V자 형상이고 하면에는 회로 실장을 위한 U자 홈을 가지는 웨이퍼, 및 웨이퍼의 역V자형상의 일측면의 일부와 U자 홈의 일부에 걸쳐서 형성된 제1 전극을 포함한다.3차원(3-dimension), 인터커넥션(interconnection)
Int. CL H01L 23/52 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090116785 (2009.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1276333-0000 (2013.06.12)
공개번호/일자 10-2011-0060252 (2011.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임권섭 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0736849-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0749933-37
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0124336-41
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0124358-45
5 등록결정서
Decision to grant
2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0392189-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼;상기 웨이퍼의 상면에 형성된 제1 V-홈;상기 웨이퍼의 상면의 일부와 상기 제1 V-홈의 일부를 걸치도록 형성된 제1 전극;상기 웨이퍼의 하면에 상기 제1 V-홈과 대향하도록 형성된 제2 V-홈;상기 웨이퍼의 하면의 일부와 상기 제2 V-홈의 일부를 걸치도록 형성된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 전기적으로 연결될 수 있도록 식각 공정을 이용하여 형성된 관통홀을 포함하는 3차원 인터커넥션 구조
2 2
제 1항에 있어서,상기 웨이퍼의 상기 제1 전극이 지나는 하면의 일영역은 상기 웨이퍼 하면의 나머지 영역에 비해 상기 제1 전극의 두께 이상만큼 식각되어 있는 3차원 인터커넥션 구조
3 3
제 1항에 있어서,상기 웨이퍼의 하면의 상기 2 V-홈의 양쪽에 회로 실장을 위해 형성된 U자 홈을 더 포함하는 3차원 인터커넥션 구조
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 도금, 증착 또는 스퍼터링 공정 방법으로 상기 웨이퍼의 상기 제1 및 제2 V-홈 일측면에서 전기적으로 연결되는 3차원 인터커넥션 구조
5 5
제 1항에 있어서상기 제1 전극은 다른 패키지와 솔더링 방법 또는 와이어 본딩 방법으로 연결되는 3차원 인터커넥션 구조
6 6
제 1항에 있어서상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극은 다른 패키지와 솔더링 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 플립칩 본딩 방법으로 연결되는 3차원 인터커넥션 구조
7 7
웨이퍼를 준비하는 단계;상기 웨이퍼의 하면에 V-홈을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 하면의 상기 V-홈의 양쪽에 회로 실장을 위한 U자 홈을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 하면에 상기 V-홈과 이어지도록 트렌치를 형성하는 단계; 상기 V-홈 일부, 상기 트렌치의 일부 그리고 상기 U자 홈의 일부에 걸치도록 전극을 형성하는 단계 및상기 전극이 노출되도록 상기 웨이퍼의 상면에 식각 공정을 이용하여 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서,상기 전극은 다른 패키지와 솔더링 방법 또는 와이어 본딩 방법을 이용하여 연결되는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 웨이퍼의 하면에 상기 전극과 상기 웨이퍼 아래 형성된 물질을 격리할 수 있도록 폴리머를 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 폴리머는 광감성(photo-sensitive) 폴리머인 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
12 12
웨이퍼를 준비하는 단계;상기 웨이퍼의 상면에 제1 V-홈을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 상면의 일부와 상기 제1 V-홈의 일부를 걸치도록 제1 전극을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 하면에 상기 제1 V-홈과 대향하는 제2 V-홈을 형성하는 단계;상기 웨이퍼의 하면의 일부와 상기 제2 V-홈의 일부를 걸치도록 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 전기적으로 연결될 수 있도록 식각 공정을 이용하여 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 제2 V-홈의 양쪽의 상기 웨이퍼 하면에 회로 실장을 위한 U자 홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 웨이퍼의 하면에 상기 제2 V-홈과 이어지도록 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하고 상기 제2 V-홈의 일부, 상기 트렌치의 일부, 그리고 상기 U자 홈의 일부를 걸치도록 상기 제2 전극을 형성시키는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
15 15
제 12항에 있어서,상기 웨이퍼의 하면에 상기 제 2 전극과 상기 웨이퍼 아래 형성된 물질을 격리할 수 있도록 폴리머를 형성하는 단계를 더 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
16 16
제 12항에 있어서,상기 제2 V-홈은 상기 제1 V-홈과 대항하도록 형성되는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
17 17
제 16항에 있어서,상기 제1 V-홈과 상기 제 2 V-홈이 관통하지 않게 상기 웨이퍼의 일부가 남겨지도록 상기 제2 V-홈을 형성하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
18 18
제 12항에 있어서,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과, 다른 패키지를 솔더링 방법, 와이어 본딩 방법 또는 플립칩 본딩 방법을 이용하여 연결하는 단계를 더 포함하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
19 19
제 12항에 있어서,상기 제1 전극 형성시 상기 제 1 V-홈을 중심으로 양쪽으로 형성하고 상기 제 1 V-홈의 중심부에서 상기 제1 전극이 끊어지도록 상기 제1 전극 형성하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
20 20
제 12항에 있어서,상기 제2 전극 형성시 상기 제2 V-홈을 중심으로 양쪽으로 형성하고 상기 제2 V-홈의 중심부에서 상기 제2 전극이 끊어지도록 상기 제2 전극 형성하는 3차원 인터커넥션 구조 제조 방법
21 21
3차원 인터커넥션 구조에 있어서,웨이퍼;상기 웨이퍼의 하면에 형성된 V-홈;상기 웨이퍼의 하면에 상기 V-홈과 이어지도록 형성된 트렌치;상기 웨이퍼의 하면의 상기 V-홈의 양쪽에 회로 실장을 위해 형성된 U자 홈;상기 V-홈 일부, 상기 트렌치의 일부 그리고 상기 U자 홈의 일부에 걸치도록 형성된 전극 및상기 전극이 노출되도록 상기 웨이퍼의 상면에 식각 공정을 이용하여 형성된 관통 홀을 포함하는 3차원 인터커넥션 구조
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1 US08252683 US 미국 FAMILY
2 US09240363 US 미국 FAMILY
3 US20110127649 US 미국 FAMILY
4 US20120286401 US 미국 FAMILY

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1 US2011127649 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2012286401 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8252683 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9240363 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.