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금속 나노 입자를 이용한 화학 센서 및 금속 나노 입자를 이용한 화학 센서의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014032041
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 입자를 이용한 화학 센서 및 금속 나노 입자를 이용한 화학 센서의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노 입자를 이용한 화학 센서는 금속 나노 입자, 금속 나노 입자와 금속 접합용 관능기를 이용하여 결합된 리간드 유기 단분자, 결합된 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자에 형성된 기판 접합용 관능기, 기판, 기판에 형성된 IDT(interdigitate) 구조를 갖는 전극 및 기판에 형성되고, 전극 사이에 위치하는 기판 관능기를 포함하여 구성되며, 기판 접합용 관능기와 기판 관능기는 공유 결합하는 것일 수 있다. 따라서, 기존의 금속 나노 입자 센서의 장점을 그대로 유지하면서 단점을 보완한 화학 센서를 제공할 수 있다. 또한, 화학 센서는 제작이 매우 간편하고, 감지특성이 매우 정교하게 설계될 수 있고, 크기도 매우 작게 제작될 수 있다. 특히, 감지특성에 있어서, 극성 및 비극성분자의 감지도 매우 우수하며, 감응 속도도 빠르며, 감지성능과 특성이 오랜 기간 변화하지 않고 지속되어, 내구성 및 신뢰도가 우수한 센서의 제작을 가능하게 한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020100060523 (2010.06.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1331088-0000 (2013.11.13)
공개번호/일자 10-2011-0070747 (2011.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20131125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090127493   |   2009.12.18
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.25)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명래 대한민국 대전광역시 유성구
2 김용준 대한민국 대전광역시 유성구
3 정성혜 대한민국 대전광역시 동구
4 류호준 대한민국 서울특별시 노원구
5 이종무 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0410304-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-2013-0059901-88
4 등록결정서
Decision to grant
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0598730-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
금속 나노 입자;상기 금속 나노 입자와 금속 접합용 관능기를 이용하여 결합된 리간드 유기 단분자;상기 결합된 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자에 형성된 기판 접합용 관능기;기판;상기 기판에 형성된 IDT(interdigitate) 구조를 갖는 전극; 및상기 기판에 형성되고, 상기 전극 사이에 위치하는 기판 관능기;를 포함하여 구성되며,상기 기판 접합용 관능기와 기판 관능기는 공유 결합하는 것을 특징으로 하는 화학 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 결합된 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자는 상기 기판 상에 단일 층(mono layer)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 금(Au)인 것을 특징으로 하는 화학 센서
4 4
제1항에 있어서,상기 리간드 유기 단분자는 바닥 및 몸통으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
5 5
제4항에 있어서,상기 리간드 유기 단분자의 바닥은 아민(amine) 및 티올(thiol) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
6 6
제4항에 있어서,상기 리간드 유기 단분자의 몸통은 -(CH2)n- 및 -(CH2CH2O)n- 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
7 7
제4항에 있어서,상기 리간드 유기 단분자의 몸통은 아로매틱 링(aromatic ring) 및 알리패틱 링(aliphatic ring) 중 어느 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
8 8
제1항에 있어서,상기 기판 접합용 관능기는 amine, -COOH 및 benzyl halogen 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
9 9
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 및 유리 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
10 10
제1항에 있어서,상기 기판 관능기는 -OH, -NH2 및 -COOH 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서
11 11
금속 접합용 관능기를 이용하여 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자가 결합하는 단계;상기 결합된 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자에 기판 접합용 관능기를 형성하는 단계;기판에 IDT(interdigitate) 구조를 갖는 전극을 형성하는 단계;상기 기판에 형성된 전극 사이에 기판 관능기를 형성하는 단계; 및상기 기판 접합용 관능기와 상기 기판 관능기가 공유 결합하는 단계;를 포함하여 구성되는 화학 센서의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 금속 접합용 관능기를 이용하여 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자가 결합하는 단계는 two-phase 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 화학 센서의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 결합된 금속 나노 입자와 리간드 유기 단분자에 기판 접합용 관능기를 형성하는 단계는 리간드 교체 반응(Ligand Exchange Reaction)을 이용하는 것을 특징으로 하는 화학 센서의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 기판에 IDT 구조를 갖는 전극을 형성하는 단계는 리소그래피(Lithography) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 화학 센서의 제조 방법
15 15
제11항에 있어서,상기 기판 접합용 관능기와 상기 기판 관능기가 공유 결합하는 단계를 이용하여 상기 금속 나노 입자와 결합된 리간드 유기 단분자는 상기 기판 상에 단일 층(mono layer)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 센서의 제조 방법
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3 US20110150701 US 미국 FAMILY
4 US20130153113 US 미국 FAMILY

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1 US2011150701 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8398921 US 미국 DOCDBFAMILY
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