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수직구조의 탄소나노튜브를 이용한 전자소자 및 그제조방법
- 기술번호 : KST2015082699
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 수직구조의 탄소나노튜브(Carbon nanotubes, CNT)를 적용한 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법은, (a) 실리콘 소스가 형성된 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성한 다음, 상기 실리콘 소스의 상면이 노출되도록 상기 제 1 절연막을 식각하는 단계; (c) 상기 실리콘 소스 상에 제 2 절연막을 형성한 다음, 상기 제 2 절연막을 패터닝하고 게이트를 형성하는 단계; (d) 상기 게이트 상에 제 3 절연막을 형성한 다음, 상기 제 3 절연막과 상기 제 2 절연막을 식각하여 탄소나노튜브 채널이 형성될 관통홀을 형성하는 단계; (e) 상기 관통홀과 상기 제 3 절연막 상에 상기 게이트를 감싸는 제 4 절연막을 형성한 후 식각하여 스페이서를 형성하는 단계; (f) 상기 실리콘 소스 상에 금속촉매를 형성하는 단계; (g) 상기 금속촉매를 이용하여 상기 실리콘 소스 상에 탄소나노튜브 채널을 수직으로 성장시키는 단계; (h) 상기 탄소나노튜브 채널이 형성된 상기 관통홀과 상기 제 3 절연막 상에 제 5 절연막을 형성하는 단계; (i) 상기 탄소나노튜브 채널이 노출되도록 상기 제 5 절연막을 패터닝한 후 실리콘 드레인을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은, 수직구조의 탄소나노튜브를 구성하고, 선택적 실리콘 성장법을 적용함으로써 수평구조 탄소나노튜브의 배열문제를 해결하였다.탄소나노튜브, 수직전자소자, 선택적 실리콘 성장 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020070057150 (2007.06.12) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0820174-0000 (2008.04.01) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080408) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020060122354 | 2006.12.05
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.06.12) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정우석 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 이진호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0424044-76 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0011959-49 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.03.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0173256-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 실리콘 소스가 형성된 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판 상에 제 1 절연막을 형성한 다음, 상기 실리콘 소스의 상면이 노출되도록 상기 제 1 절연막을 식각하는 단계;(c) 상기 실리콘 소스 상에 제 2 절연막을 형성한 다음, 상기 제 2 절연막을 패터닝하고 게이트를 형성하는 단계;(d) 상기 게이트 상에 제 3 절연막을 형성한 다음, 상기 제 3 절연막과 상기 제 2 절연막을 식각하여 탄소나노튜브 채널이 형성될 관통홀을 형성하는 단계;(e) 상기 관통홀과 상기 제 3 절연막 상에 상기 게이트를 감싸는 제 4 절연막을 형성한 후 식각하여 스페이서를 형성하는 단계;(f) 상기 실리콘 소스 상에 금속촉매를 형성하는 단계; (g) 상기 금속촉매를 이용하여 상기 실리콘 소스 상에 상기 탄소나노튜브 채널을 수직으로 성장시키는 단계;(h) 상기 탄소나노튜브 채널이 형성된 상기 관통홀과 상기 제 3 절연막 상에 제 5 절연막을 형성하는 단계; 및(i) 상기 탄소나노튜브 채널이 노출되도록 상기 제 5 절연막을 패터닝한 후 실리콘 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 기판은,SOI(silicon on insulator) 기판 또는 다결정 실리콘 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 (c)단계는,상기 제 2 절연막 상에 PR(photo resist)을 코팅한 후 노광하여 상기 PR을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 PR을 이용하여 상기 제 2 절연막을 식각하여 게이트홀을 형성한 후 상기 PR을 제거하는 단계;상기 제 2 절연막의 상부 및 상기 게이트홀에 게이트 물질을 형성하는 단계; 및상기 게이트홀 내의 게이트 물질만 남기고 상기 제 2 절연막 상의 게이트 물질을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 (d)단계는상기 제 3 절연막 상에 PR 코팅한 후 노광하여 상기 PR을 패터닝하는 단계;상기 제 2 절연막 및 상기 제 3 절연막을 식각하여 상기 관통홀을 형성하는 단계; 및상기 제 3 절연막 상의 PR을 제거하는 단계를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 (f)단계는상기 금속촉매의 입자를 기상에서 형성시킨 후 상기 실리콘 소스와 상기 제 3 절연막 상에 떨어뜨리는 단계;상기 금속촉매의 입자를 진공 열처리 하는 단계; 및상기 제 3 절연막 상의 상기 금속입자들을 제거하는 단계를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 (i)단계는상기 제 5 절연막 상에 PR 코팅한 후 노광하여 패터닝하는 단계;상기 탄소나노튜브의 끝단이 노출될 때까지 상기 제 5 절연막을 식각하는 단계;상기 제 5 절연막 상의 PR을 제거하는 단계; 및상기 제 5 절연막 상에 실리콘 드레인을 형성하는 단계 를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계는,상기 제 2 절연막 상에 PR 코팅한 후 노광하여 상기 PR을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 PR을 이용하여 상기 제 2 절연막을 식각하여 상기 실리콘 소스의 양측면에 각각 게이트 홀을 형성한 후 상기 PR을 제거하는 단계; 및상기 제 2 절연막의 상부 및 상기 게이트홀에 게이트물질을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 탄소나노튜브 제조방법 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 (i)단계는상기 제 5 절연막 상에 PR 코팅한 후 노광하여 패터닝하는 단계;상기 탄소나노튜브의 끝부분이 노출될 때까지 상기 제 5 절연막을 식각하는 단계;상기 제 5 절연막 상의 PR을 제거하는 단계;상기 제 5 절연막의 식각면의 클리닝 공정을 수행하는 단계; 및상기 식각면 상에 실리콘의 선택적 성장으로 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 (g)단계의 상기 금속촉매는Fe, Ni, Pt, Pd, Cu, Au 및 Al 중 어느 하나를 이용하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 (c)단계의 상기 게이트의 재료는금속, 실리사이드 및 도핑된 실리콘 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법 |
| 11 |
11 기판 상에 형성된 실리콘 소스; 상기 실리콘 소스의 상면을 노출시키며 상기 기판 상에 형성되는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 형성되며 상기 실리콘 소스를 노출시키는 관통홀이 형성된 제 2 절연막;상기 관통홀을 통해 노출된 상기 실리콘 소스의 상면에 수직으로 성장된 하나 이상의 탄소나노튜브;상기 관통홀과 접하는 위치에 상기 탄소나노튜브의 성장방향과 같이 수직으로 형성되는 하나 이상의 게이트; 및상기 관통홀을 통해 노출된 상기 탄소나노튜브의 단부에 연결된 실리콘 드레인을 포함하는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서,상기 게이트는 금속, 실리사이드, 및 도핑된 실리콘 중 어느 하나로 이루어지는 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 |
| 13 |
13 제 11항에 있어서, 상기 기판은 SOI 기판 또는 다결정 실리콘 기판인 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 |
| 14 |
14 제 11항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 성장 길이는 50 내지 250nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자 |
| 15 |
15 제 11항에 있어서,상기 실리콘 드레인은 선택적 실리콘 성장으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자 |
| 16 |
16 제 11항에 있어서,상기 탄소나노튜브가 형성된 관통홀은 절연막으로 채워지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전자소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07989286 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100096619 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2008069485 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010096619 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7989286 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0820174-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070612 출원 번호 : 1020070057150 공고 연월일 : 20080408 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080328 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 수직구조의 탄소나노튜브를 이용한 전자소자 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2008년 04월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2011년 04월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2012년 03월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 128,000 원 | 2013년 03월 25일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2014년 03월 27일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2015년 03월 27일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2016년 03월 30일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 460,000 원 | 2017년 03월 27일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 460,000 원 | 2018년 04월 03일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 230,000 원 | 2019년 03월 25일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0424044-76 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0011959-49 |
| 4 | 등록결정서 | 2008.03.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0173256-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440000945 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2003-S-099 |
| 연구과제명 | 나노소자기반회로설계기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200312~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1440001161 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-S-073-02 |
| 연구과제명 | 나노소자기반회로설계기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200601~200612 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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