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기판상에 제1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극 상에 화학기상증착 방법을 통해 염소(Cl2)가 20~25sccm 포함된 반도체층을 적어도 한층 형성하는 단계와;
상기 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서
상기 반도체층은,
화학기상증착용 챔버 내에서 주입 가스로 모노 실란(SiH4) 및 상기 염소(Cl2)가 주입된 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체층은,
화학기상증착용 챔버 내에서 주입 가스로 모노실란(SiH4) 및 염소(Cl2)가 주입됨과 동시에 수소(H2)나 아르곤(Ar) 중 어느 하나가 더 주입되거나 둘 다 주입된 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제4항에 있어서,
상기 반도체층은,
상기 화학기상증착용 챔버 내에서 주입 가스로 헬륨(He)이 추가로 주입된 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체층은 상기 화학기상증착 방법을 통해 염소(Cl2)가 1016 ~ 1021cm-3으로 포함된 비정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체층은 상기 화학기상증착 방법을 통해 염소(Cl2)가 1016 ~ 1021cm-3으로 포함된 마이크로 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체층은 상기 화학기상증착 방법을 통해 염소(Cl2)가 1016 ~ 1021cm-3으로 포함된 나노 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체층에 그레인 크기가 5~150nm의 실리콘 덩어리를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 장치의 제조 방법
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