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기판 상부에 실리콘 웨이퍼 또는 비정질 실리콘으로 형성되는 활성층 또는 도핑층을 갖는 전자소자에 있어서,상기 활성층은 실리콘 웨이퍼 제조공정에서 발생한 실리콘 슬러리를 박막 형태로 형성하고, 소결을 실시하여 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 도핑층은,진성 실리콘 슬러리를 이용하여 박막형태로 형성한 다음, p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 주입하여 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 도핑층은,p형 도핑된 실리콘 슬러리 또는 n형 도핑된 실리콘 슬러리를 박막형태로 형성한 다음, 소결을 실시하여 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 소결 방법은,점진적으로 온도를 상승시키는 퍼니스(Furnace) 방법, 급격하게 온도를 향상시키는 급속열처리(RTA)방법, 빔 조사방법, RTA와 빔 조사방법을 혼합하여 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자소자는 실리콘 슬러리로 형성된 박막의 소결 중에 기판으로부터 오염물질이 유입되는 것을 방지하기 위하여 기판 상부에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막, 실리케이트 막 중 어느 하나로 버퍼층을 더 형성한 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 슬러리는 가공되지 않은 실리콘 슬러리, 상기 실리콘 슬러리를 연마하여 입자크기를 1㎛ 이하로 제조한 실리콘 파우더 또는 화학물질을 첨가하여 용액 상태로 만들 실리콘 슬러리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 5항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 소자는,다이오드, 박막 트랜지스터, 태양전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용하여 제조된 전자소자
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기판 상부에 실리콘 웨이퍼 또는 비정질 실리콘으로 형성되는 활성층 또는 도핑층을 갖는 전자소자의 제조방법에 있어서,실리콘 슬러리를 이용하여 박막형태의 실리콘 슬러리층을 형성하는 단계와;상기 실리콘 슬러리층이 형성된 소자에 소결을 실시하여 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 실리콘 슬리러층을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 슬러리는 진성 실리콘 슬러리인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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10
제 8 항에 있어서,상기 활성층 상부에 p형 또는 n형 도핑된 실리콘 슬러리를 이용하여 도핑층을 형성하거나, 실리콘 슬러리층에 p형 또는 n형 도펀트를 주입하여 도핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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제 8 항 또는 제10항에 있어서,상기 활성층 또는 도핑층을 형성하는 단계는,상기 실리콘 슬러리를 1㎛이하의 균일한 입자를 같는 실리콘 파우더로 제조하는 단계; 또는 상기 실리콘 슬러리를 솔벤트 및 유기용제, 계면활성제, 분산제, 접착제, 응고제 중 어느 하나 이상을 첨가하여 용액 상태로 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 소결 공정은,점진적으로 온도를 상승시키는 퍼니스(Furnace) 방법, 급격하게 온도를 향상시키는 급속열처리(RTA)방법, 빔 조사방법, RTA와 빔 조사방법을 혼합하여 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 퍼니스(Furnace) 방법에는 할로겐 램프 또는 자외선 램프가 사용되며,상기 빔 조사방법은 UV 어닐링 또는 레이저 조사를 이용한 어닐링 방법이 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 기판 상부에 활성층의 열처리 실시중 기판의 오염물질이 활성층에 유입되는 것을 방지하기 위한 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 활성층 또는 도핑층은,스핀코팅, 딥핑, 스프레이를 이용한 도포방법 또는 스퀴지를 이용한 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 전자소자 제조방법
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