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제 3항에 있어서,
상기 금속 산화물 전구체는 인듐 아세테이트, 인듐 아세테이트 하이드레이트, 인듐 아세틸아세토네이트, 인듐 부톡사이드, 인듐 클로라이드, 인듐 클로라이드 하이드레이트, 인듐 클로라이드 테트라하이드레이트, 인듐 플로라이드, 인듐 하이드록사이드, 인듐 아이오다이드, 인듐 나이트레이트, 인듐 나이트레이트 하이드레이트, 인듐 설페이트, 인듐 설페이트 하이드레이트, 인듐 옥사이드, 갈륨 아세틸아세토네이트, 갈륨 클로라이드, 갈륨 플로라이드, 갈륨 나이트레이트 하이드레이트, 갈륨 옥사이드, 갈륨 설페이트, 갈륨 설페이트 하이드레이트, 징크 아세테이트 , 징크 아세테이트 다이하이드레이트, 징크 아세틸아세토네이트 하이드레이트, 징크 클로라이드, 징크 플로라이드, 틴 아세테이트, 틴 아세틸아세토네이트, 틴 부톡사이드, 틴 클로라이드, 틴 클로라이드 다이하이드레이트, 틴 클로라이드 펜타하이드레이트, 틴 플로라이드, 틴 아이오다이드, 틴 옥사이드, 틴 설페이트, 알루미늄 아세테이트, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 부톡사이드, 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 클로라이드 하이드레이트, 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트, 알루미늄 에톡사이드, 알루미늄 플로라이드, 알루미늄 하이드록사이드, 알루미늄 아이오다이드, 알루미늄 이소프로폭사이드, 알루미늄 락테이트, 알루미늄 나이트레이트 모노하이드레이트, 알루미늄 포스페이트로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 결정성 산화물 반도체 제조방법
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제 2항에 있어서,
상기 희석용액에서 용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 1-프로판올 (1-propanol), 메톡시에탄올, 아세토나이트릴, 다이메틸 설폭사이드, 테트라하이드로퓨란로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저온 결정성 산화물 반도체 제조방법
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