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실리콘 태양전지

  • 기술번호 : KST2014034672
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 실리카 반사방지막의 제조 방법이 제공된다. 반도체 기판 상에 실리카(SiO2) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 실리카 층을 형성하고; 상기 도펀트-함유 실리카 층을 공기 또는 산소-함유 가스 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의한 p-n 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 실리카 입자층을 동시에 형성하는 것을 포함하며, 상기 구형 실리카 입자층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링 효과도 제공한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020100066574 (2010.07.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1133953-0000 (2012.03.30)
공개번호/일자 10-2012-0005887 (2012.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대호 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 강삼묵 대한민국 경기도 의왕시
3 배현정 대한민국 경기도 안산시 단원구
4 김태성 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0445655-82
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053361-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0455074-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0683459-90
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0683460-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0177030-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 실리카(SiO2) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 실리카 층을 형성하고;상기 도펀트-함유 실리카 층을 공기 또는 산소-함유 가스 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의한 p-n 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 실리카 입자층을 형성하는 것:을 포함하며, 상기 구형 실리카 입자층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링(texturing) 효과도 제공하는 것인,실리카 반사방지막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 도펀트는 n형 도펀트이며, 상기 에미터층은 n형 도핑층인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 n형 도펀트는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 실리카 전구체는 C1~6-알콕시실란(alkoxysilanes)을 포함하는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 도펀트 전구체는 인(P)-함유 화합물, 비소(As)-함유 화합물 또는 안티몬(Sb)-함유 화합물인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 액상 도포는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating) 에 의하여 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 500 내지 1500℃에서 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 1 torr 내지 760 torr에서 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 실리카 반사방지막을 포함하는, 실리콘 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.