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반도체 기판 상에 실리카(SiO2) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 실리카 층을 형성하고;상기 도펀트-함유 실리카 층을 공기 또는 산소-함유 가스 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의한 p-n 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 실리카 입자층을 형성하는 것:을 포함하며, 상기 구형 실리카 입자층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링(texturing) 효과도 제공하는 것인,실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 도펀트는 n형 도펀트이며, 상기 에미터층은 n형 도핑층인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 n형 도펀트는 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리카 전구체는 C1~6-알콕시실란(alkoxysilanes)을 포함하는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도펀트 전구체는 인(P)-함유 화합물, 비소(As)-함유 화합물 또는 안티몬(Sb)-함유 화합물인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 액상 도포는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating) 에 의하여 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 500 내지 1500℃에서 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 1 torr 내지 760 torr에서 수행되는 것인, 실리카 반사방지막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 실리카 반사방지막을 포함하는, 실리콘 태양전지
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