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중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035047
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 이에 의하면, 실리콘 기판 상에 게이트 산화막, 게이트 전극, 소스/드레인 영역, 층간절연막 및 배선 전극을 형성한 후에, 게이트 산화막의 열화를 방지하기 위하여, 게이트 전극에 전계를 인가하고 배선전극을 통해 소스 영역 및 드레인 영역을 접지시킴으로써 게이트 산화막에 존재하는 수소 이온의 농도를 감소시킨 후, 게이트 산화막에 중수소 이온(D+)을 주입함으로써 게이트 산화막과 실리콘 기판의 계면의 댕글링 본드(dangling bond) 및 게이트 산화막 내의 고정 전하와 중수소 이온(D+)을 각각 결합시킨다. 따라서 게이트 산화막의 열화가 억제되므로 모스 소자의 전기적 특성 및 신뢰성이 향상된다. 반도체소자, 게이트 산화막, 수소 이온 농도 감소, 중수소 이온 주입, 신뢰성
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/51(2013.01) H01L 29/51(2013.01) H01L 29/51(2013.01)
출원번호/일자 1020080133722 (2008.12.24)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0992535-0000 (2010.11.01)
공개번호/일자 10-2010-0075105 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 경상북도 경주시
2 김계령 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0889650-97
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0431950-50
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063074-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0469904-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 게이트 산화막의 일부 영역 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 사이에 두고 서로 이격되는 위치의 상기 실리콘 기판 내에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 포함한 상기 실리콘 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결되도록, 상기 층간절연막 상에 배선전극을 형성하는 단계; 게이트 전극에 전계를 인가하고 배선전극을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 접지시킴으로써 상기 게이트 산화막 내의 수소 이온의 농도를 감소시키는 단계; 및 상기 수소 이온의 농도가 감소된 게이트 산화막에 중수소 이온을 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극에 인가되는 전계의 범위는, -5㎹/㎝ ~ -10㎹/㎝인 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 게이트 전극에 전계를 인가하는 동안에 상기 실리콘 기판의 주변 분위기 온도를 100℃~250℃의 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중수소 이온을 주입하는 단계는, 상기 수소 이온의 농도가 감소된 게이트 산화막 중에서 중수소 이온의 결합이 요구되는 소자의 영역만을 노출시키는 이온주입마스크를 이용하여 중수소 이온을 선택적으로 주입하는 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 산화막에 주입되는 중수소 이온의 에너지는, 30KeV~100KeV인 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 게이트 산화막에 주입되는 중수소 이온의 조사량은, 1×1010ions/㎠ ~ 1×1014ions/㎠인 것을 특징으로 하는 중수소 이온 주입을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.