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나노선 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174714
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 식각을 통하여 한 쌍의 전극이 형성될 홈들을 형성하는 단계, 한 쌍의 전극이 형성될 홈들에 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계 및 한 쌍의 전극에 전압을 인가하여 비균일 전기장의 형성으로 인한 유전영동을 포함하는 전기화학적 힘에 의해 한 쌍의 전극간에 반도체 나노선을 정렬하는 단계를 포함하여 나노선 전계효과 트랜지스터를 제작하는 방법을 구성한다. 따라서, 나노선의 정렬을 유전영동의 방법을 이용하여 제어함으로써 대량생산에 적합하고 생산수율이 개선되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070026721 (2007.03.19)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0822992-0000 (2008.04.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤안숙 대한민국 광주 북구
2 홍웅기 대한민국 광주 북구
3 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0218212-18
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0308638-98
3 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2007.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0051794-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011615-59
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0160897-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 식각을 통하여 한 쌍의 전극이 형성될 홈들을 형성하는 단계; 상기 한 쌍의 전극이 형성될 홈들에 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계; 및 상기 한 쌍의 전극에 전압을 인가하여 비균일전기장의 형성으로 인한 유전영동을 포함하는 전기화학적 힘에 의해 상기 한 쌍의 전극간에 반도체 나노선을 정렬하는 단계를 포함한 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속박막을 증착하여 한 쌍의 전극을 형성하는 단계에서, 증착되는 금속박막의 높이가 주변의 기판의 높이와 같도록 금속박막을 증착하는 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노선을 정렬하는 단계 이후에 상기 한 쌍의 전극위에 금속박막을 추가로 증착하는 단계를 더 포함한 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 금속박막을 추가로 증착하는 단계 이후에 상기 추가로 증착된 금속박막과 나노선 위에 고분자 절연체를 이용하여 고분자 절연막을 형성하는 단계를 더 포함한 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 고분자 절연막을 형성하는 단계는 스핀 코팅에 의하여 이루어지는 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 형성된 고분자 절연막의 상부에 게이트 전극을 상기 정렬된 나노선의 길이방향 중심부에 위치시키는 단계를 더 포함한 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 1 항의 방법에 의하여 제조된 나노선 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.