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기판과;
상기 기판 상부에 일정거리 이격되어 부착된 두개의 그래핀 편과;
상기 두개의 그래핀 편 상부에 일부분이 노출되도록 각각 형성된 절연층과;
상기 노출된 그래핀 편 상부에 각각 형성된 제1전극들과;
상기 절연층 상부에 형성된 제2전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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2
제 1 항에 있어서,
상기 기판은,
다량의 도펀트가 주입된 실리콘(Si)층과
상기 실리콘층 상부에 형성된 산화실리콘층(SiO2)으로 구성된 Si/SiO2기판인 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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3
제 1 항에 있어서,
상기 그래핀 편의 크기는 가로와 세로가 수십 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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4
제 1 항에 있어서,
상기 절연층은 산화금속, 테플론계열 폴리머, 포토리지스티브 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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5
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극들 및 상기 제2전극들은 알루미늄, 구리, 금, 은 중 어느 하나를 이용하여 형성한 금속전극층인 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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6
제 1 항에 있어서,
상기 기판에 양전압을, 상기 제2전극들 중 어느 한 전극에 음전압을 인가하는 제1가변전원(VA)과;
상기 기판에 음전압을, 상기 제2전극들 중 남은 한 전극에 양전압을 인가하는 제2가변전원(VC)과;
상기 제1전극들간에 연결된 제3가변전원(VSD)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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7
제 6 항에 있어서,
상기 제3가변전원과 직렬로 연결된 전류계가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자
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8
Si/SiO2 기판 상부에 원하는 크기로 절단된 두개의 그래핀 편을 일정거리 이격시켜 부착하는 단계와;
상기 두개의 그래핀 편 상부에 일부분이 노출되도록 각각 산화금속을 이용하여 절연층을 형성하는 단계와;
상기 각각의 노출된 그래핀 편 상부에 금속을 이용하여 제1금속전극층을 형성하는 단계와;
상기 절연층 상부에 금속을 이용하여 제2금속전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자의 제조방법
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9
제 8 항에 있어서,
상기 절연층은,
산화금속, 테플론계열 폴리머, 포토리지스티브 중 어느 하나를 스핀 코팅법으로 형성한 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자의 제조방법
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10
제 8 항에 있어서,
상기 제1 및 상기 제2 금속전극층은 알루니늄, 구리, 금, 은 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 그래핀 가변 에너지 가시광 방출 투과 광소자의 제조방법
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