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갈륨이 도핑된 산화아연박막을 전극으로 사용한 질화갈륨 엘이디 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059378
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨이 도핑된 산화아연박막을 전극으로 사용한 질화갈륨 엘이디 제조방법에 관한 것으로, 사파이어기판상에 유기금속화학증착방법을 사용하여 갈륨나이트라이드 p-n 에피층을 증착하는 제1 단계; 소자 제작을 위해 유도결합플라즈마를 사용하여 상기 p-GaN 에피층의 일부를 n-GaN layer까지 식각하는 제2 단계; 및 RF 스퍼터링 방법으로 전극으로서 GZO 박막을 직경 500 ㎛의 셰도우마스크(shadow mask)를 사용하여 증착하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/28 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) H01L 33/40 (2014.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020110066014 (2011.07.04)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1275874-0000 (2013.06.11)
공개번호/일자 10-2013-0004759 (2013.01.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.04)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김창오 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0510373-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037287-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0511039-75
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0890039-62
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0890038-16
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0207139-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0274602-10
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0274601-75
10 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0284991-34
11 등록결정서
Decision to grant
2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0294840-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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사파이어기판상에 유기금속화학증착방법을 사용하여 갈륨나이트라이드(GaN) p-n 에피층을 증착하는 제1 단계; 소자 제작을 위해 유도결합플라즈마를 사용하여 상기 p-GaN 에피층의 일부를 n-GaN layer까지 식각하는 제2 단계 및; RF 스퍼터링 방법으로 전극으로서 Ga-doped ZnO박막(ZnO:Ga, 이하:GZO 박막으로 칭함)을 셰도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 상기 p-GaN 및 n-GaN 상에 증착하는 제3 단계를 포함하는 갈륨이 도핑된 산화아연박막을 전극으로 사용한 질화갈륨 엘이디 제조방법에 있어서;상기 제3 단계에서의 GZO 박막에서 Ga 양은 총질량(Ga+ZnO)의 mol수에 대해서 1mol%부터 Ga 양을 1mol% 씩 증가시키면서 최종적으로는 5mol% 까지 변화시켜 기판온도 400℃에서 증착하고;상기 제3 단계에서, Ga의 활성화와 박막의 질을 향상시키기 위해 RTA를 사용하여 질소분위기에서 900℃로 3 분간 열처리를 실시하는 제4 단계를 더 포함하며;상기 제1 단계에서, 증착된 p-n 에피층의 총 두께는 3 ∼ 5 ㎛이고, 제3 단계에서 증착된 두께는 50 ∼ 150 nm인 것을 특징으로 하는 갈륨이 도핑된 산화아연박막을 전극으로 사용한 질화갈륨 엘이디 제조방법
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상기 제 1항의 방법에 의해 제조된 갈륨이 도핑된 산화아연박막을 전극으로 사용한 질화갈륨 엘이디
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 도전과제 그래핀 기반 융복합 나노구조의 특성및 소자응용연구