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유기반도체소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035591
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 제 1정공수송층과 제 2정공수송층 사이에 전자수송층이 형성된 것을 특징으로 하는 유기반도체 소자 및 제 1전자수송층과 제 2전자수송층 사이에 정공수송층이 형성된 것을 특징으로 하는 유기반도체 소자와 이들 각각의 제조 방법에 관한 것이다. 이에 의해, 전극에서 정공 및 전자가 원활히 이동하고 고 이동도의 특성을 가지며 소자의 제작에 있어 재현성을 매우 우수하게 한다.
Int. CL H01L 51/00 (2014.01) H01L 51/52 (2014.01) H01L 51/05 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020100016072 (2010.02.23)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1146193-0000 (2012.05.08)
공개번호/일자 10-2011-0096696 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권장혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박태진 대한민국 서울특별시 동대문구
3 전우식 대한민국 서울특별시 성북구
4 유재형 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0117157-07
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0124515-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0036689-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0263593-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0550801-27
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634055-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0711012-08
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0803432-40
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0095937-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0901200-31
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0901203-78
13 등록결정서
Decision to grant
2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0247149-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 양극;상기 양극 상에 형성된 제1정공수송층;상기 제1정공수송층 상에 형성되고, HAT-CN(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)으로 이루어진 전자수송층;상기 전자수송층 상에 형성된 제2정공수송층;상기제2정공수송층 상에 형성된 음극; 을 포함하되,상기 제 1 정공수송층 및 상기 제 2정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은, 상기 전자수송층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 높은 것을 특징으로 하는 유기반도체 소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 정공수송층의 HOMO 에너지 레벨과 상기 전자수송층의 LUMO 에너지 레벨의 차이는 -1
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
(a) 애노드 전극상에 제 1정공수송층을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1정공수송층상에 HAT-CN(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)으로 이루어진 전자수송층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 전자수송층상에 제 2정공수송층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 정공수송층 및 상기 제 2정공수송층의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨은, 상기 전자수송층의 LUMO (lowest occupied molecular orbital) 에너지 레벨보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 소자 제조 방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.