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상부 추가층을 이용한 발광다이오드 구조

  • 기술번호 : KST2014035837
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드의 효율을 향상시키기 위한 구조적 개선방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 발광다이오드의 효율을 향상시키기 위해 종래의 발광다이오드의 설계에서 표면에 추가적으로 다소 낮은 굴절률을 가지는 부수적인 층을 형성하는 새로운 상부 추가층을 이용한 발광다이오드 구조가 제공되며, 그것에 의해, 기존의 발광다이오드 표면의 굴절률과 공기층과의 굴절률 차이를 감소하여 탈출각을 증가시키고 전반사 효과를 감소시킴으로써 더 많은 빛을 발광다이오드 외부로 방출시킬 수 있으며, 아울러, 간단한 공정만으로 발광다이오드에 상부 추가층을 삽입할 수 있으므로, 기존 기술들에 비해 구현하기도 용이한 상부 추가층을 이용한 발광다이오드 구조가 제공된다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020100090724 (2010.09.15)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1172277-0000 (2012.08.02)
공개번호/일자 10-2012-0028715 (2012.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천광역시 연수구
2 최철현 대한민국 인천광역시 남구
3 이민우 대한민국 인천광역시 부평구
4 성준호 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0600858-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0577007-15
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0968143-29
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0013629-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0013630-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0235991-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0432265-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0432266-00
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0450802-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부기판, n-타입 영역, 하부전극, 활성층, p-타입 영역, 투명전극 및 상부전극을 포함하여 구성되는 발광다이오드에 있어서, 상기 투명전극 위에 형성되고, 상기 상부전극 측면에 형성되는 상부 추가층; 및 상기 상부 추가층 위에 형성되는 보호층을 포함하며, 상기 상부 추가층은, 상기 상부전극보다 더 높은 높이로 형성되고, 상기 상부 추가층은, 1
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
하부기판, n-타입 영역, 하부전극, 활성층, p-타입 영역, 투명전극 및 상부전극을 포함하여 구성되는 발광다이오드에 있어서, 상기 상부전극에 연결된 상부전극 와이어; 상기 하부전극에 연결된 하부전극 와이어; 상기 상부전극 와이어 및 상기 하부 전극 와이어로 와이어 본딩된 상기 발광다이오드 전체를 덮는 형태로 형성되는 상부 추가층; 및 상기 상부 추가층 위에 형성되는 보호층을 포함하고, 상기 상부 추가층은, 1
6 6
삭제
7 7
발광다이오드의 패키징 방법에 있어서, 상기 발광다이오드를 반사컵 내에 위치시키는 단계; 상기 반사컵 내의 상기 발광다이오드에 유전체 물질을 도포 또는 코팅하여 상부 추가층을 형성하는 단계; 상기 상부 추가층 위에 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 상부 추가층을 형성한 후, 패키징 물질을 이용하여 패키징하는 단계를 포함하며, 상기 상부 추가층을 형성하는 단계에서, 상기 상부 추가층은, 1
8 8
제 7항에 있어서, 상기 패키징하는 단계에서, 상기 패키징 물질은 에폭시를 사용하여 패키징하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 패키징 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 지식경제부 우수연구센터(ERC) 사업 집적형 광자기술 연구센터