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수퍼커패시터용 전극 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 수퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2014036492
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비축전용량 및 전기전도도가 우수한 수퍼커패시터용 전극 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 수퍼커패시터에 관한 것으로서, 집전체와; 상기 집전체의 적어도 일면에 형성되며, 금속산화물 나노입자를 포함하여 이루어진 나노섬유의 웹 구조를 갖는 다공성 금속산화물층을 포함하며, 상기 나노입자는, 비정질 구조를 갖거나, 혹은 비정질 구조 내에 나노결정질이 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극을 제공한다. 전기방사, 금속산화물층, 나노섬유, 비정질, 웹, 수퍼커패시터
Int. CL H01G 11/46 (2013.01) H01G 11/86 (2013.01)
CPC H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01)
출원번호/일자 1020080081683 (2008.08.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1025571-0000 (2011.03.22)
공개번호/일자 10-2010-0023093 (2010.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울특별시 동작구
2 윤두영 대한민국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)켐트로스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0594535-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0002066-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0208920-86
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0461631-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0520253-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0520251-33
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0577981-15
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0053956-76
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0084083-34
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0151694-24
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0151693-89
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0147064-88
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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(가) 집전체 상에, 금속산화물 전구체와 고분자를 혼합한 용액을 방사하여 금속산화물 전구체와 고분자가 혼합된 복합섬유의 웹을 제조하고; (나) 상기 복합섬유의 웹을 열 압착, 열 가압, 또는 제1 열처리하여, 상기 복합섬유 내 고분자를 부분 또는 전체 용융시키며; (다) 상기 (나) 단계를 거친 복합섬유의 웹을 제2 열처리하여 상기 복합섬유의 웹으로부터 상기 고분자를 제거함으로써 다공성 금속산화물층을 얻는 것을 특징으로 하고, 상기 열 압착 또는 열 가압은 사용된 고분자의 유리전이온도 이상의 온도에서 압력을 가함으로써 수행되는 것이고, 상기 제1 열처리는 상기 고분자의 유리전이온도 이상 200℃ 이하의 온도에서 수행하는 것이며, 상기 제2 열처리는 250∼400℃의 온도에서 수행하여, 금속산화물 나노섬유의 웹을 구성하는 나노입자가 비정질 구조를 갖도록 하거나, 혹은 비정질 구조와 나노결정질 구조가 혼합된 구조를 갖도록 하는 것이고, 상기 다공성 금속산화물층은, 집전체와, 상기 집전체의 적어도 일면에 형성되며, 금속산화물 나노입자를 포함하여 이루어진 나노섬유의 웹 구조를 갖는 다공성 금속산화물층을 포함하며, 상기 나노입자는, 비정질 구조를 갖거나, 혹은 비정질 구조 내에 나노결정질이 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 금속산화물 전구체는 망간산화물 전구체이며, 이 망간산화물 전구체는 망간(Ⅲ) 아세틸아세토네이트 (Manganese Acetylacetonate, Mn(C5H7O2)3), 망간(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 (Manganese Acetylacetonate, [CH3COCH=C(O)CH3]2Mn), 망간(Ⅲ) 아세테이트 하이드레이트 (Manganese acetate hydrate, Mn(CH3COO)3·xH2O), 망간(Ⅲ) 아세테이트 다이하이드레이트 (Manganese acetate dihydrate, Mn(CH3COO)3·2H2O), 망간(Ⅲ) 아세테이트 테트라하이드레이트 (Manganese acetate tetrahydrate, Mn(CH3COO)2·4H2O), 망간(Ⅱ) 나이트레이트 하이드레이트 (Manganese nitrate hydrate, Mn(NO3)2·xH2O), 망간(Ⅱ) 클로라이드 (Manganese chloride, MnCl2), 망간(Ⅱ) 클로라이드 하이드레이트 (Manganese chloride hydrate, MnCl2·xH2O), 망간(Ⅲ) 클로라이드 테트라하이드레이트 (Manganese chloride tetrahydrate, MnCl2·4H2O), 망간(Ⅱ) 설페이트 하이드레이트 (Manganese sulfate hydrate, MnSO4·xH2O) 및 망간(Ⅱ) 설페이트 모노하이드레이트 (Manganese sulfate monohydrate, MnSO4·H2O)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 고분자는 폴리비닐 아세테이트, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄을 포함하는 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트와 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트와 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 같은 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메스아크릴레이트 (PMMA), 폴리메틸아크릴레이트 (PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜 (PVA), 폴리퍼퓨릴알콜 (PPFA), 폴리스티렌 (PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌 옥사이드 (PEO), 폴리프로필렌옥사이드 (PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 방사는 전기방사 (electro-spinning), 멜트블로운 (melt-blown), 플레쉬방사 (flash spinning) 및 정전멜트블로운법 (electrostatic melt-blown) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의한 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.