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망간산화물-전도성 금속산화물 복합층을 구비한 수퍼커패시터용 전극 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 수퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2014036505
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비축전용량 및 전기전도도가 우수한 수퍼커패시터용 전극 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 수퍼커패시터에 관한 것으로서, 망간산화물 전구체와, 망간산화물보다 전기전도성이 우수한 전도성 금속산화물 전구체와, 고분자를 혼합한 방사용액을 준비하고; 집전체 상에 상기 방사용액을 전기장하에서 방사하여 상기 망간산화물 전구체와 상기 전도성 금속산화물 전구체와 상기 고분자가 복합된 초극세섬유들이 서로 뒤엉킨 초극세섬유 웹을 형성하며; 상기 초극세섬유 웹을 열 압착, 열 가압 또는 제1 열처리하여 상기 초극세섬유 웹 내 고분자를 부분 또는 전체 용융시키고; 용융된 초극세섬유 웹을 제2 열처리하여 상기 초극세섬유 웹으로부터 고분자를 제거함으로써 다공성 복합 금속산화물층을 얻는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법을 제공한다. 망간산화물, 전도성 금속산화물, 나노섬유, 웹, 전기방사, 수퍼커패시터
Int. CL H01G 11/46 (2013.01) B82Y 30/00 (2013.01) H01G 11/86 (2013.01)
CPC
출원번호/일자 1020080109179 (2008.11.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1037590-0000 (2011.05.23)
공개번호/일자 10-2010-0050066 (2010.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울특별시 동작구
2 윤두영 대한민국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0765965-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0014485-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0467380-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0737859-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0737864-33
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0095622-02
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.03.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0008379-21
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0200850-36
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0291400-79
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0291398-64
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0259637-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집전체와; 상기 집전체의 적어도 일면에, 전기장이 인가된 상태에서의 방사에 의해 초극세섬유들이 서로 뒤엉킨 웹 형태로 축적된 후 열처리를 통해 형성된 다공성 복합 금속산화물층을 포함하고, 상기 초극세섬유들의 웹은, 망간산화물 및 망간산화물보다 전기전도성이 우수한 전도성 금속산화물 나노입자들을 포함하여 이루어진 초극세 섬유들이 서로 뒤얽힌 웹인 것을 특징으로 하고, 상기 나노입자들의 평균 크기는 2~30 nm인 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 초극세섬유들은 열 압착 또는 열 가압에 의해 납작한 벨트(belt) 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노입자들 중 상기 망간산화물 성분이 리치(rich)한 나노입자는 비정질 구조를 갖거나 혹은 비정질 구조 내에 나노결정질이 부분적으로 형성된 구조를 가지며, 상기 전도성 금속산화물 성분이 리치(rich)한 나노입자는 결정질 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도성 금속산화물은 산화루테늄, 산화이리듐, 니켈산화물, 주석산화물, 인듐산화물, 바나듐산화물, 텅스텐산화물, 코발트산화물 및 몰리브데늄산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이거나 둘 이상의 혼합 상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극
7 7
제1항에 있어서, 상기 다공성 복합 금속산화물층 내 상기 망간산화물 성분의 총량과 상기 전도성 금속산화물 성분의 총량의 비는 (망간산화물)1-x(전도성 금속산화물)x (0
8 8
제1항, 제3항, 제4항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 따른 수퍼커패시터용 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터
9 9
망간산화물 전구체와, 망간산화물보다 전기전도성이 우수한 전도성 금속산화물 전구체와, 고분자를 혼합한 방사용액을 준비하고; 집전체 상에 상기 방사용액을 전기장하에서 방사하여 상기 망간산화물 전구체와 상기 전도성 금속산화물 전구체와 상기 고분자가 복합된 초극세섬유들이 서로 뒤엉킨 초극세섬유 웹을 형성하며; 상기 초극세섬유 웹을 열 압착, 열 가압 또는 제1 열처리하여 상기 초극세섬유 웹 내 고분자를 부분 또는 전체 용융시키고; 용융된 초극세섬유 웹을 제2 열처리하여 상기 초극세섬유 웹으로부터 고분자를 제거함으로써 다공성 복합 금속산화물층을 얻는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 망간산화물 전구체는 망간(Ⅲ) 아세틸아세토네이트(Manganese Acetylacetonate; Mn(C5H7O2)3), 망간(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(Manganese Acetylacetonate; Mn(CH3COCHCOCH3)2), 망간(Ⅲ) 아세테이트 하이드레이트(Manganese acetate hydrate; Mn(CH3COO)3·xH2O), 망간(Ⅲ) 아세테이트 다이하이드레이트(Manganese acetate dihydrate; Mn(CH3COO)3·2H2O), 망간(Ⅲ) 아세테이트 테트라하이드레이트(Manganese acetate tetrahydrate; Mn(CH3COO)2·4H2O), 망간(Ⅱ) 나이트레이트 하이드레이트(Manganese nitrate hydrate; Mn(NO3)2·xH2O), 망간(Ⅱ) 클로라이드(Manganese chloride; MnCl2), 망간(Ⅱ) 클로라이드 하이드레이트(Manganese chloride hydrate; MnCl2·xH2O), 망간(Ⅲ) 클로라이드 테트라하이드레이트(Manganese chloride tetrahydrate; MnCl2·4H2O), 망간(Ⅱ) 설페이트 하이드레이트(Manganese sulfate hydrate; MnSO4·xH2O) 및 망간(Ⅱ) 설페이트 모노하이드레이트(Manganese sulfate monohydrate; MnSO4·H2O)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 전도성 금속산화물 전구체는 Ru, Ir, Sn, In, Ni, Co, W, V 또는 Mo 이온을 포함하는 전구체로서, 고분자와 혼합되어 방사 후 열처리를 통해 각각 산화루테늄, 산화이리듐, 니켈산화물, 주석산화물, 인듐산화물, 바나듐산화물, 텅스텐산화물, 코발트산화물 또는 몰리브데늄산화물을 형성할 수 있는 전구체를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 고분자는 폴리비닐아세테이트, 폴리우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜(PVA), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌(PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 열 압착 또는 열 가압은 상기 고분자의 유리전이온도 이상의 온도에서 압력을 가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 제1 열처리는 상기 고분자의 유리전이온도 이상 200 ℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 제2 열처리는 300~400 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
16 16
제9항에 있어서, 상기 방사는 전기방사(electro-spinning), 멜트블로운(melt-blown), 플레쉬방사(flash spinning) 및 정전멜트블로운(electrostatic melt-blown)법 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의한 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터용 전극의 제조 방법
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2 JP22114447 JP 일본 FAMILY
3 US08609018 US 미국 FAMILY
4 US20100033903 US 미국 FAMILY
5 WO2010053259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2010053259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 US2010033903 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8609018 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2010053259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2010053259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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