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기판, 양극, 활성층 및 음극이 순차적으로 적층되고, 상기 활성층으로서, p형 유기 고분자, n형 유기 분자 및 반도체 양자점을 유기용매에 첨가하여 제조된 유-무기 혼합용액의 코팅층으로부터 가열에 의해 얻어진 일체형 코어/쉘(core/shell) 구조의 p-i-n 형태의 고분자-양자점 복합체 박막을 포함하는 태양전지 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 p형 유기 고분자가 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리[1-메톡시-4-(2-에틸헥실옥시-2,5-페닐렌비닐렌)](MEH-PPV), 폴리(페닐렌비닐렌)(PPV), 디메틸페닐로 말단-캡핑된 폴리(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)(PFO-DMP) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 n형 유기 분자가 1,3,5-트리스-(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(TPBi), N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(TPD), 2-(4-비페닐일)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(BCP), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(Bphen) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 반도체 양자점이 태양광 스펙트럼 중 200 내지 1100 nm 영역의 자외선-근적외선을 흡수하고 1
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제 4 항에 있어서,
상기 반도체 양자점이 IV족, II족-VI족, III족-V족, I족-III족-VI족 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 5 항에 있어서,
상기 반도체 양자점이 코어/쉘(core/shell) 구조를 갖는 II족-VI족/II족-VI족 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 5 항에 있어서,
상기 반도체 양자점이 AlN, GaN, ZnO, InP, Si, Ge, GaAs, CuInS2, CuInSe2, CdS, CuInGaSe2, CdTe, ZnSe, CdSe/ZnS(코어/쉘) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 유기용매 100 중량부에 대해 상기 p-형 유기 고분자, n-형 유기 분자 및 반도체 양자점을 각각 0
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제 1 항에 있어서,
상기 유-무기 혼합용액 코팅층의 가열이 50 내지 100℃에서 10 내지 30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 고분자-양자점 복합체 박막이 0
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제 1 항에 있어서,
상기 고분자-양자점 복합체가 1 내지 10 nm의 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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기판 위에 양극, 활성층 및 음극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자를 제조하는 방법에 있어서,
기판 위에 양극을 형성한 후, 상기 양극을 p형 유기 고분자, n형 유기 분자 및 반도체 양자점을 유기용매에 첨가하여 제조된 유-무기 혼합용액으로 코팅한 다음 가열하여 p-i-n 형태의 고분자-양자점 복합체의 박막 형태로서 상기 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 제 1 항의 태양전지 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,
상기 유-무기 혼합용액으로 양극을 코팅할 때 1000 ~ 3000 rpm의 속도로 10 ~ 30 초 동안 스핀 코팅을 수행하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 소자의 제조방법
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