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발광 다이오드 소자(Light Emitting Diode)에 구비된 발광 다이오드 칩의 배열 위치에 상응하는 위치에 형성된 복수의 나노팁을 갖는 나노팁 인가부를 준비하는 단계;상기 나노팁 인가부를 상기 발광 다이오드 소자에 결합하여 상기 복수의 나노팁을 상기 복수의 발광 다이오드 칩 각각에 접속하는 단계;상기 나노팁 인가부가 결합된 상기 발광 다이오드 소자를 나노 막대의 성장 용액 속에 담그고 상기 복수의 나노팁을 통해 상기 발광 다이오드 칩에 포함된 전류 확산층에 음전압을 인가하고, 상기 나노 막대의 성장 용액 속에 담겨진 양극 패드에 양전압을 인가하는 단계;상기 발광 다이오드 소자의 전류 확산층 상면에 선택적으로 일정 크기와 높이를 가지는 나노 막대를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형성되는 나노 막대의 재질은 산화아연이며,상기 나노 막대의 성장 용액은 질산아연(zinc nitrate) 분말가루를 순수(pure water)에 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형성되는 나노 막대의 재질은 산화아연이며,상기 나노 막대의 성장 용액은 질산아연 분말가루와 헥사메틸렌테트라아(hexamenthylentetramine) 분말가루를 순수에 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노팁을 상기 전류 확산층에 직접 접속하여 상기 전류 확산층에 음전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노팁을 상기 전류 확산층의 상면에 형성되어 있는 P(Positive)형 전극에 접속하여 상기 전류 확산층에 음전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 막대의 크기와 높이는 상기 발광 다이오드 소자에 인가되는 전압의 크기 또는 상기 발광 다이오드 소자와 양극 패드 사이의 거리에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 막대의 크기와 높이는 상기 성장 용액의 수소이온지수(pH)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 막대의 크기와 높이는 상기 성장 용액의 농도, 성장 용액의 온도, 또는 성장 시간 중 적어도 어느 하나에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 확산층은 Au/Ni, ITO, ZnO 중 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 나노 막대를 구비하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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