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100 ~ 250 eV 의 저에너지와 100 ~ 900 μA/cm2의 고 이온 전류 밀도를 갖는 이온빔을 준비하고, 상온에서 상기 이온빔을 고분자 시편 표면에 1 ∼ 10초의 범위로 조사하는 것을 특징으로 하는고분자 표면의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 이온빔은 반응성가스로서 O2, O3, N2, N2O, NO2, CO2 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하는 고분자 표면의 접착력 향상방법
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제2항에 있어서, 상기 이온빔은 불활성가스로 Ar, Kr, Xe, Ne 중에서 선택되는 어느 하나를 추가로 포함하는 고분자 표면의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 이온빔은 불활성가스로 Ar, Kr, Xe, Ne 중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 고분자 표면의 접착력 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 이온빔의 조사량은 1× 1015/cm2 ~ 1× 1018/cm2의 범위인 고분자 표면의 접착력 향상방법
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삭제
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200 eV 미만의 이온빔의 에너지, 0
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제7항에 있어서, 상기 이온빔은 O2, O3, N2, N2O, NO2, CO2 중에서 선택되는 어느 하나의 가스를 사용하는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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제8항에 있어서, 산소를 사용하는 경우 5× 1015/cm2 이상의 이온을 조사하는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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10
제8항에 있어서, 질소를 사용하는 경우 2× 1017/cm2 이상의 이온을 조사하는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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제8항에 있어서, 아산화질소를 사용하는 경우 5× 1016/cm2 이상의 이온을 조사하는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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12
제7항에 있어서, 이온 전류 밀도를 0
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제7항에 있어서, 상기 이온빔은 불활성 가스로 Ar, Kr, Xe, Ne 중에서 선택되는 어느 하나와 반응성 가스로 O2, O3, N2O, NO2, CO2 중에서 선택되는 어느 하나를 혼합하여 사용하는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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14
제13항에 있어서, 상기 이온빔의 조사는 1 ~ 2초 동안 이루어지는 고분자와 금속간의 접착력 향상방법
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200 eV 미만의 이온빔의 에너지, 0
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200 eV 미만의 이온빔의 에너지, 0
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