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2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122178
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텅스텐 카바이드의 성장시 과포화(supersaturation) 수준의 조절을 통해 나노구조의 정렬 형태를 제어함으로써 여러 형태의 텅스텐 카바이드 특히, 나노월 구조의 텅스텐 카바이드를 합성할 수 있는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법은 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 이용하여, 나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열되는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 제조하는 것을 특징으로 하며, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가된다.
Int. CL C23C 16/50 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120038556 (2012.04.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1369285-0000 (2014.02.25)
공개번호/일자 10-2013-0115847 (2013.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울 노원구
2 이학주 대한민국 인천 계양구
3 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
4 박종극 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0295166-17
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0065306-64
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026301-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0627877-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0836313-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0836309-74
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0013115-79
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.01.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0055197-28
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0055195-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0121576-58
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번호 청구항
1 1
수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 이용하여, 나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열되는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 제조하며, 상기 나노결정다이아몬드 박막 상에 형성되는 텅스텐 카바이드의 기하학적 형태는 텅스텐 카바이드의 성장면에서의 과포화 정도에 따라 결정되며, 과포화 정도를 상대적으로 작게 하여 텅스텐 카바이드를 나노월 구조로 성장시키는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가되는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 과포화 정도는 성장족의 유입량에 따라 결정되며, 성장족의 유입량이 상대적으로 많으면 과포화 정도가 커지며, 성장족의 유입량이 상대적으로 적으면 과포화 정도가 작아지는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 성장족의 유입량은 공정 온도 또는 및 수소 플라즈마 발생을 위해 인가되는 방전전압과 전류의 조절을 통해 제어되는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 표면이 탄화된 텅스텐 음극은, 텅스텐 음극을 일정 온도의 탄소 분위기 하에 노출시켜 표면으로부터 일정 깊이만큼 탄화층이 형성된 것이며, 상기 탄화층은 WCx 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드 제조방법
7 7
나노결정다이아몬드 박막 상에 수직 배열된 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드는 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정을 통해 형성되며, 상기 수소 플라즈마가 인가되는 화학기상증착 공정은, 챔버 내의 양극 상에 나노결정다이아몬드 박막이 형성된 기판을 구비시키고, 기판의 상부 이격된 위치에 표면이 탄화된 텅스텐 음극을 구비시킨 상태에서, 챔버 내에 수소 플라즈마가 인가되어 진행되는 것을 특징으로 하는 2차원 나노구조의 텅스텐 카바이드
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1 US2013273395 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9175387 US 미국 DOCDBFAMILY
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