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기판;상기 기판의 표면에 돌출되도록 마련되어 상기 기판의 표면적을 증가시키는 복수의 미세 구조물;상기 복수의 미세 구조물 표면에 마련되는 시드 레이어(seed layer); 및상기 시드 레이어에 형성되는 복수의 나노 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 미세 구조물은 상기 기판의 표면에 일정한 주기로 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노 로드는 ZnO, TiO2, GaN, GaAs, GaP 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, Si, GaAs, GaN, AZO, FTO, GZO, ITO 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자
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(a) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 표면에 복수의 미세 구조물을 형성하여 상기 기판의 표면적을 증가시키는 단계; (c) 상기 복수의 미세 구조물의 표면에 시드 레이어(seed layer)를 형성하는 단계; 및(d) 상기 시드 레이어에 복수의 나노 로드를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (d) 단계는 수열 합성법(hydrothermal synthesis method), 화학기상 증착법(CVD method), 전기 증착법(electro-deposition mehod), 졸-젤법(sol-gel method), 분자빔 증착법, 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법 중에서 선택된 방법으로 상기 나노 로드를 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 수열 합성법을 통해 상기 나노 로드를 성장시키되, 상기 나노 로드를 구성하는 물질이 함유된 성장용액의 농도, 상기 기판을 상기 성장용액에 침지해 두는 시간, 상기 성장용액의 온도를 조절하여 상기 나노 로드의 두께와 길이를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (b) 단계는 홀로그램 리소그래피, e-beam 리소그래피, 나노임프린트 리소그래피 중에서 선택된 방법으로 상기 기판의 표면을 식각하여 상기 복수의 미세 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 미세 구조물로 이용될 수 있는 나노구(nano sphere)를 상기 기판의 표면에 단일층으로 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 시드 레이어를 물리 증착법, 화학 증착법, 스핀 코팅 중에서 선택된 방법으로 상기 기판의 표면에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 나노 로드는 ZnO, TiO2, GaN, GaAs, GaP 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판은 유리, Si, GaAs, GaN, AZO, FTO, GZO, ITO 중에서 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 로드를 갖는 기능소자의 제조방법
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