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발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037250
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 및 상기 미세 구조체의 표면 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100097840 (2010.10.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1217209-0000 (2012.12.24)
공개번호/일자 10-2012-0036129 (2012.04.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.07)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 서울특별시 송파구
2 이철호 대한민국 서울특별시 관악구
3 김용진 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍장원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나)
2 안상희 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
3 남준욱 대한민국 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담)
4 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0648641-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0661285-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0553858-80
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0768630-17
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0788471-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0929774-60
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0929773-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0218760-25
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0376704-04
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0384489-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0384488-68
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0582668-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 또는 그래파이트로 이루어진 탄소층;상기 탄소층의 판면에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 및상기 미세 구조체의 상부면 또는 측면 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어,상기 발광 구조층 상에 형성된 제1 전극층을 더 포함하는 발광소자
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 전극층과 상기 탄소층 사이에 위치한 절연층을 더 포함하는 발광소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 탄소층의 하부에 위치한 기판을 더 포함하는 발광소자
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 상기 탄소층에 형성된 데미지(damage)로부터 상측으로 성장된 것인 발광소자
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 탄소층의 표면 상에 형성된 제2 전극층을 더 포함하는 발광소자
8 8
제3항에 있어서,상기 발광 구조층은 상기 탄소층과 접하지 않도록 상기 절연층의 상측에 위치하는 것인 발광소자
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 구조체를 포함하는 발광소자
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광 구조층은, n형 반도체층, p형 반도체층, 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 양자 활성층을 포함하는 발광소자
11 11
제10항에 있어서,상기 n형 반도체층은, 실리콘, 게르마늄, 셀레늄, 텔루르, 및 탄소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 불순물이 도핑된 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 또는 질화인듐갈륨을 포함하고,상기 p형 반도체층은 마그네슘, 아연, 및 베릴륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 불순물이 도핑된 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 또는 질화인듐갈륨을 포함하는 발광소자
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 산화아연, 산화아연마그네슘, 산화아연카드뮴, 산화아연마그네슘카드뮴, 산화아연베릴륨, 산화아연마그네슘베릴륨, 산화아연망간, 산화아연마그네슘망간, 질화갈륨, 잘화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 및 질화인듐갈륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 발광소자
13 13
그래핀 또는 그래파이트로 이루어진 탄소층을 마련하는 단계;상기 탄소층의 판면에서 상측으로 복수의 미세 구조체를 성장시키는 단계; 및상기 미세 구조체의 상부면 또는 측면 상에 발광 구조층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 발광 구조층을 형성하는 단계 후에, 상기 발광 구조층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
15 15
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 탄소층을 마련하는 단계는, 기판 상에 상기 탄소층을 마련하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법
16 16
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 미세 구조체를 성장시키는 단계는,상기 탄소층 상에 데미지(damage)를 생성하는 단계; 및상기 데미지로부터 상기 미세 구조체를 상측으로 성장시키는 단계를 포함하는 것인 발광소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는,상기 탄소층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 탄소층에 데미지를 생성하는 단계를 포함하는 것인 발광소자의 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는, 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 및 중성자빔 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계는, 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노임프린트, 및 탬플릿 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법
20 20
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 미세 구조체를 성장시키는 단계 후에, 상기 탄소층 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
21 21
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 발광 구조층을 형성하는 단계 후에, 상기 탄소층의 표면 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
22 22
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 발광 구조층은, n형 반도체층, p형 반도체층, 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 양자 활성층을 포함하는 것인 발광소자의 제조방법
23 23
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 구조체를 포함하는 발광소자의 제조방법
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2 US20130187128 US 미국 FAMILY
3 WO2012047068 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012047068 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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4 WO2012047068 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 서울대학교산학협력단 창의적연구진흥사업 반도체 나노막대 연구단