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제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되며, 양자점 반도체 물질을 포함하는 발광부, 상기 발광부에 전자를 전달하는 전자 전달부, 및 상기 발광부에 정공을 전달하는 정공 전달부를 포함하고, 상기 정공 전달부는 상기 발광부 상에 위치하는 전자 차단층; 상기 전자 차단층 상에 위치하는 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층 상에 위치하는 정공 주입층을 포함하되, 상기 전자 차단층은 제2 정공 전달물질을 포함하고, 상기 정공 수송층은 제1 정공 전달물질 및 제2 정공 전달물질을 1:0
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청구항 1에 있어서,상기 제1 정공 전달물질의 표면에너지(g)과 홀 밀도(1011 cm-3)를 각각 (1se)와 (1hd)로 하고, 상기 제2 정공 전달물질의 표면에너지(g)과 홀 밀도(1011 cm-3)를 각각 (2se)와 (2hd)로 할 때 하기 식 2 및 식 3의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 정공 수송층은 상기 제1 정공 전달물질을 호스트 물질로 하고, 상기 제2 정공 전달물질을 도펀트 물질로 하여 상기 발광부에서 누설되는 전자를 차단하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 전자 차단층은 상기 제2 정공 전달물질을 호스트 물질로 하고, 상기 정공 수송층은 상기 제1 정공 전달물질을 호스트 물질로 하는 바이레이어 구조로 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 정공 전달물질은 전자공여물질(donor: D)-연결물질(connecter: C)-연결물질(C)-전자공여물질(D)의 형태(D-C-C-D 형태), D-C-D-(D)n 형태, D-(D)n 형태, [D-C-D-C]n 형태, 또는 D-C-D 형태를 갖는 정공 전달용 유기화합물이거나; 혹은 진공증착, 나노입자 코팅, 또는 졸젤박막을 형성하는 형태의 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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8
청구항 1에 있어서, 상기 제2 정공 전달물질은 전자공여물질(D)-연결물질(C)-전자공여물질(D)의 형태(D-C-D 형태), D-C-C-C-D 형태, D-C-D-C-D 형태, 또는 D-D-D 형태를 갖는 전자 차단용 유기화합물이거나; 혹은 진공증착, 나노입자 코팅, 또는 졸젤박막을 형성하는 형태의 무기물을 포함하고, 루모(LUMO)가 -2
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청구항 7 또는 청구항 8에 있어서, 상기 전자공여물질(donor: D)는 카바졸 유도체, 방향족 아민계, 또는 방향족 실란계 물질을 포함하고, 상기 연결물질(connecter: C)은 페닐렌 및 나프탈렌을 비롯한 아릴렌계 물질을 포함하며, n은 1 내지 100의 정수인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 제1 정공 전달물질은 루모(LUMO)가 -4
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청구항 1에 있어서,상기 제2 정공 전달물질은 루모(LUMO)가 -2
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청구항 1에 있어서,상기 제1 정공 전달물질은 하기 화학식 1 내지 6으로 나타내는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 정공 전달물질은 하기 화학식 7 내지 11로 나타내는 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 발광부는 발광 영역의 파장이 570nm ~ 780nm인 적색 양자점, 발광 영역의 파장이 480nm ~ 570nm인 녹색 양자점, 및 발광 영역의 파장이 380 ~ 480nm인 청색 양자점으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 양자점 발광 다이오드는 EQE 효율 0
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제1 정공 전달물질의 루모(eV)를 (1lu)로 하고, 제2 정공 전달물질의 루모(eV)를 (2lu)로 하고, 양자점 반도체 물질의 루모(eV)를 (Qlu)로 할 때, 하기 식 5의 관계를 만족하는 제1 정공 전달물질, 제2 정공 전달물질 및 양자점 반도체 물질을 선택하는 단계,[수학식 5]Qlu 003c# 1lu 003c# 2lu상기 양자점 반도체 물질을 제1 전극과 제2 전극 사이에 적층하여 발광부를 제공하는 단계; 상기 발광부 상에 상기 제2 정공 전달물질을 적층하여 상기 발광부로부터 누설되는 전자를 차단하는 전자 차단층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 차단층 상에 상기 제1 정공 전달물질과 제2 정공 전달물질을 각각 정공 수송층의 호스트 물질과 도펀트 물질로서 1:0
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