요약 | 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 상기 미세 구조체를 피복하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020100097842 (2010.10.07) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1217210-0000 (2012.12.24) |
공개번호/일자 | 10-2012-0036131 (2012.04.17) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121231) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.10.07) |
심사청구항수 | 21 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이규철 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
2 | 정건욱 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
3 | 이철호 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 홍장원 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나) |
2 | 안상희 | 대한민국 | 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고) |
3 | 남준욱 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담) |
4 | 특허법인 하나 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0648684-56 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0661257-24 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0553859-25 |
5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0768630-17 |
6 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0788493-16 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0929367-91 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0929366-45 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0235930-34 |
10 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0376704-04 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.05.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0378940-19 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0378915-77 |
13 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0576680-78 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 그래핀 또는 그래파이트로 이루어진 탄소층;상기 탄소층의 판면에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체;상기 미세 구조체를 피복하는 박막층; 및상기 박막층 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자 |
2 |
2 제1항에 있어,상기 발광 구조층 상에 형성된 제1 전극층을 더 포함하는 발광소자 |
3 |
3 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 탄소층의 하부에 위치한 기판을 더 포함하는 발광소자 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 상기 탄소층에 형성된 데미지(damage)로부터 상측으로 성장된 것인 발광소자 |
6 |
6 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 탄소층의 표면 상에서 상기 미세 구조체가 위치하지 않은 곳에 형성된 제2 전극층을 더 포함하는 발광소자 |
7 |
7 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 구조체를 포함하는 발광소자 |
8 |
8 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광 구조층은, n형 반도체층, p형 반도체층, 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 양자 활성층을 포함하는 발광소자 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 n형 반도체층은, 실리콘, 게르마늄, 셀레늄, 텔루르, 및 탄소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 n형 불순물이 도핑된 반도체 물질로, 상기 반도체 물질은 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 또는 질화인듐갈륨 중 어느 하나 이상을 포함하고,상기 p형 반도체층은 마그네슘, 아연, 및 베릴륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로, 상기 반도체 물질은 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 또는 질화인듐갈륨 중 어느 하나 이상을 포함하는 발광소자 |
10 |
10 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 산화아연, 산화아연마그네슘, 산화아연카드뮴, 산화아연마그네슘카드뮴, 산화아연베릴륨, 산화아연마그네슘베릴륨, 산화아연망간, 산화아연마그네슘망간, 질화갈륨, 잘화알루미늄, 질화갈륨알루미늄, 및 질화인듐갈륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 포함되는 발광소자 |
11 |
11 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 박막층은 n형 반도체층을 포함하며, 상기 발광 구조층은 양자 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 것인 발광소자 |
12 |
12 그래핀 또는 그래파이트로 이루어진 탄소층을 마련하는 단계;상기 탄소층의 판면에서 상측으로 복수의 미세 구조체를 성장시키는 단계;상기 미세 구조체를 피복하는 박막층을 형성하는 단계; 및상기 박막층 상에 발광 구조층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법 |
13 |
13 제12항에 있어서,상기 발광 구조층을 형성하는 단계 후에, 상기 발광 구조층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법 |
14 |
14 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 탄소층을 마련하는 단계는, 기판 상에 상기 탄소층을 마련하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법 |
15 |
15 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 미세 구조체를 성장시키는 단계는,상기 탄소층 상에 데미지(damage)를 생성하는 단계; 및상기 데미지로부터 상기 미세 구조체를 상측으로 성장시키는 단계를 포함하는 것인 발광소자의 제조방법 |
16 |
16 제15항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는,상기 탄소층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 탄소층에 데미지를 생성하는 단계를 포함하는 것인 발광소자의 제조방법 |
17 |
17 제15항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는, 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 및 중성자빔 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법 |
18 |
18 제16항에 있어서,상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계는, 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노임프린트, 및 탬플릿 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 발광소자의 제조방법 |
19 |
19 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 발광 구조층을 형성하는 단계 후에, 상기 탄소층의 표면 상에서 상기 미세 구조체가 위치하지 않은 곳에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법 |
20 |
20 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 발광 구조층은, n형 반도체층, p형 반도체층, 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 양자 활성층을 포함하는 것인 발광소자의 제조방법 |
21 |
21 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 박막층은 n형 반도체층을 포함하며, 상기 발광 구조층은 양자 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 것인 발광소자의 제조방법 |
22 |
22 제12항 또는 제13항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 구조체를 포함하는 발광소자의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09166101 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20130187127 | US | 미국 | FAMILY |
3 | WO2012047069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
4 | WO2012047069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2013187127 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9166101 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
3 | WO2012047069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
4 | WO2012047069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 서울대학교산학협력단 | 창의적연구진흥사업 | 반도체 나노막대 연구단 |
특허 등록번호 | 10-1217210-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101007 출원 번호 : 1020100097842 공고 연월일 : 20121231 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120927 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 발광소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2012년 12월 26일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2016년 02월 22일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0648684-56 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.10.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0661257-24 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0553859-25 |
5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0768630-17 |
6 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.10.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0788493-16 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0929367-91 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0929366-45 |
9 | 의견제출통지서 | 2012.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0235930-34 |
10 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0376704-04 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.05.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0378940-19 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0378915-77 |
13 | 등록결정서 | 2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0576680-78 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술번호 | KST2014037251 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 서울대학교 |
기술명 | 발광소자 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 상기 미세 구조체를 피복하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345125448 |
---|---|
세부과제번호 | 2004-0046410 |
연구과제명 | 반도체 나노막대 연구단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200406~201305 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345125448 |
---|---|
세부과제번호 | 2004-0046410 |
연구과제명 | 반도체 나노막대 연구단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200406~201305 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020100103911] | 태양전지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020100103904] | 태양전지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100097842] | 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100097840] | 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020100019415] | 나노 디바이스 | 새창보기 |
[1020070128436] | 광변환 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070092187] | 나노막대를 포함하는 나노디바이스 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014037005][서울대학교] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2019008333][서울대학교] | 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015135628][서울대학교] | 발광 소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015136957][서울대학교] | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2019011543][서울대학교] | 양자점 전사 인쇄 방법 | 새창보기 |
[KST2020004520][서울대학교] | 레이저-유도 디웨팅된 실버 나노입자를 포함하는 표면 증강 라만 산란 기판 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2019018301][서울대학교] | 자기조립 고분자-페로브스카이트 발광층, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광소자 | 새창보기 |
[KST2015135367][서울대학교] | 양자점 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014053124][서울대학교] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014037260][서울대학교] | 반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 | 새창보기 |
[KST2015136882][서울대학교] | Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체 | 새창보기 |
[KST2019012917][서울대학교] | 수명이 향상된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014037250][서울대학교] | 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2021008289][서울대학교] | 마이크로 LED 정렬 방법 및 이를 적용한 마이크로 LED 디스플레이 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015135810][서울대학교] | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2020004537][서울대학교] | 스트레쳐블 색변환 소자 및 이를 포함하는 스트레쳐블 발광소자 | 새창보기 |
[KST2015137621][서울대학교] | 나노 구조체 및 이를 포함한 소자 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|