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지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의미세 전극 어레이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037256
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법은, 기판의 제1 영역이 식각되며, 식각된 상기 제1 영역의 바닥면은 뾰족한 형상을 갖도록 상기 기판을 식각하는 단계; 식각된 상기 제1 영역에 제1 도전층 및 제2 도전층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층을 둘러싸는 상기 기판의 제2 영역을 식각하는 단계; 및 상기 제2 영역에 제1 고분자 물질층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이상과 같이 제조된 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극은 생체 신호의 기록 및/또는 전달 대상에 안정적인 밀착을 담보하고, 생체 내 이식 시 생체 조직에 의한 물리적 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극은 균일한 어레이, 오목한 어레이, 또는 볼록한 어레이 등의 미세 전극의 어레이로 구성될 수도 있다.
Int. CL A61N 1/05 (2006.01.01) A61N 1/36 (2006.01.01)
CPC A61N 1/05(2013.01) A61N 1/05(2013.01) A61N 1/05(2013.01) A61N 1/05(2013.01)
출원번호/일자 1020100071769 (2010.07.26)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1209403-0000 (2012.11.30)
공개번호/일자 10-2012-0010325 (2012.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20121206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울특별시 강남구
2 구교인 대한민국 경기도 양평군
3 이상민 대한민국 서울특별시 강남구
4 박호수 대한민국 전라남도 완도군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0479389-72
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0129860-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0079759-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0217156-90
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0327043-95
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0327041-04
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0553278-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 제1 영역이 식각되며, 식각된 상기 제1 영역의 바닥면은 뾰족한 형상을 갖도록 상기 기판을 식각하는 단계; 식각된 상기 제1 영역에 제1 도전층 및 제2 도전층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층을 둘러싸는 상기 기판의 제2 영역을 식각하는 단계; 및상기 제2 영역에 제1 고분자 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판의 전면상에 제2 고분자 물질층을 형성하는 단계;상기 제2 도전층이 노출되도록 상기 제2 고분자 물질층을 부분적으로 제거하는 단계;상기 기판상에 상기 제2 도전층과 전기적으로 연결된 제3 도전층을 형성하는 단계; 상기 기판의 전면상에 제3 고분자 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 도전층이 적어도 부분적으로 노출되도록 상기 제3 고분자 물질층을 부분적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기판을 식각하는 단계는, 상기 제1 영역을 수직 방향으로 식각하는 단계; 식각된 상기 제1 영역의 수직면에 보호막을 형성하는 단계; 및식각된 상기 제1 영역의 바닥면을 뾰족한 형상으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제1 영역을 수직 방향으로 식각하는 단계는, 상기 제1 영역을 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 제1 영역의 바닥면을 뾰족한 형상으로 식각하는 단계는, 상기 제1 영역을 염기성 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 제2 도전층을 순차적으로 형성하는 단계는, 식각된 상기 제1 영역 및 상기 기판의 상부면상에 제1 도전층 및 제2 도전층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 기판의 상부면상의 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 식각된 상기 제1 영역 및 상기 기판의 상부면상에 제1 도전층 및 제2 도전층을 순차적으로 형성하는 단계는, 상기 제1 영역 및 상기 기판의 상부면상에 시드층으로서 상기 제1 도전층을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전층상에 상기 제2 도전층을 도금하여 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
9 9
제 2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 도전층은, 크롬, 금, 백금, 니켈, 알루미늄, 구리, 이리듐, 이리듐 산화물, ITO, 폴리피롤 및 불순물이 도핑된 다결정 실리콘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
10 10
제 2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고분자 물질층은, PDMS, 폴리 카보네이트, PMMA, COC, 폴리이미드 및 파릴린으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지벽으로 둘러싸인 화살촉 구조의 미세 전극 어레이의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 보건복지부 서울대학교 병원 보건의료연구개발사업 생체밀착형 신경전극 개발