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폴리머 기판;상기 폴리머 기판 상에 증착된 시드 레이어(Seed Layer);상기 시드 레이어 상에 패턴된 금속층; 및상기 금속층 상에 역사다리꼴 또는 버섯 형상으로 형성된 장벽 구조물을 적어도 두 개 포함하는 다중 장벽 구조물을 포함하는폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물은 서로 평행하게 배열되는폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물 중 하나의 장벽 구조물은 다른 하나의 장벽 구조물을 둘러싸고 있고,상기 하나의 장벽 구조물과 상기 다른 하나의 장벽 구조물이 형성하는 면의 중심은 동일한폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물은 상기 금속층을 둘러싸도록 형성되는폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물의 표면은 나노 계면(Nano Interface)인폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 폴리머 기판은, 폴리아미드(Polyamide), 패릴린-C(Parylene-C) 또는 액정 폴리머(Liquid Crystal Polymer, LCP) 중 적어도 하나인폴리머 기반 신경 전극
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제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물 상에 형성되는 폴리머 절연층을 더 포함하는폴리머 기반 신경 전극
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제 7 항에 있어서,상기 폴리머 절연층은, 스핀 코팅, 화학 기상 증착 또는 열압착 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것인폴리머 기반 신경 전극
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폴리머 기반 신경 전극 제조 장치에서 실행되는 폴리머 기반 신경 전극 제조 방법에 있어서,폴리머 기판에 시드 레이어를 증착하고 감광 수지로 코팅하는 단계;상기 코팅된 감광 수지를 에칭하고 상기 에칭된 영역에 금속층을 형성하는 단계;상기 코팅된 감광 수지를 제거하고, 상기 시드 레이어 및 금속층을 감싸도록 감광 수지를 코팅하는 단계;적어도 두 개의 장벽 구조물을 포함하는 다중 장벽 구조물이 형성될 수 있도록 역(Upsidedown)장벽 구조물의 형상으로 상기 코팅된 감광 수지를 에칭하는 단계;상기 에칭된 감광 수지에 도금 처리하여 상기 적어도 두 개의 장벽 구조물을 형성하는 단계;상기 코팅된 감광 수지를 제거하고, 건식 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 상기 시드 레이어를 제거하는 단계를 포함하는폴리머 기반 신경 전극 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물 상에 폴리머 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는폴리머 기반 신경 전극 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물 중 하나의 장벽 구조물은 다른 하나의 장벽 구조물을 둘러싸고 있고,상기 하나의 장벽 구조물과 상기 다른 하나의 장벽 구조물은 동일한 중심을 가지고 평행하게 배열된 구조물이고,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물이 상기 금속층을 둘러싸도록 형성된폴리머 기반 신경 전극 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 적어도 두 개의 장벽 구조물의 종단면은, 역사다리꼴 또는 버섯 형상으로 형성되는폴리머 기반 신경 전극 제조 방법
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